http://sites.prenninger.com/elektronik/home/transistor Wels, am 2015-01-08BITTE nützen Sie doch rechts OBEN das Suchfeld [ ] [ Diese Site durchsuchen]DIN A3 oder DIN A4 quer ausdrucken *******************************************************************************I** DIN A4 ausdrucken (Heftrand 15mm / 5mm) siehe http://sites.prenninger.com/drucker/sites-prenninger********************************************************I* ~015_b_PrennIng-a_elektronik-home-transistor (xx Seiten)_1a.pdfBell-Transistor Nr. 9 im Deutschen Museum in München tauchte erst 2006 in einer Streichholzschachtel wieder auf - Fa. Bell-LaboratorienSIEMENS hat ab 1953 in München Bipolar-Transistoren aus Ge = Germanium hergestellt Spannungs- und Stromverteilung am TransistorStrom und Spannung am NPN-Transistor Strom und Spannung am PNP-Transistorhttps://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htmLieferantenübersicht
********************************************************I* Regency TR-1 Transitorradio Das Transistorradio - 18. Oktober 1954 Manchmal braucht es erst ein gutes Endprodukt, um den Nutzen eines Bauteils zu demonstrieren. Die ersten Bipolar-Transistoren, zunächst noch auf Germanium-Basis, wurden bereits 1947 entwickelt. Seit 1952 besaß Texas Instruments eine Lizenz zur Fertigung solcher Halbleiter. Doch obwohl das Bauteil preiswert, klein und leichtgewichtig war, fand das junge Unternehmer keine Käufer: Gerätehersteller setzten weiter Elektronenröhren als Schalt- und Verstärkungselemente ein, die zwar klobig und zerbrechlich waren, aber als zuverlässig galten. So beschloss die Firma, einen Bedarf zu schaffen: Am 18. Oktober 1954 kündigte Texas Instruments in Kooperation mit dem Hersteller Regency das Transistorradio TR-1 an. Der weltweit erste leichte, batteriebetriebene Radioempfänger kostete relativ teure 49,95 US-$, wurde aber sofort zum Verkaufsschlager. Insgesamt verkaufte sich das TR-1 etwa 140.000-mal. Der Erfolg führte Herstellern den Nutzen von Transistoren vor Augen - und die Ära der Mikroelektronik konnte beginnen. Mit dem batteriebetriebenen, tragbaren Radio machten Texas Instruments und das amerikanische Ingenieurbüro I.D.E.A. (Industrial Deve-lopment Engineering Associates) 1954 den Transistor populär. Mit nur einem Drehknopf für die Senderfrequenz, einem Lautstärkeregler und einem Lautsprecher wirkt das Regency TR-1 heute spartanisch, doch in den 1950er Jahren stellte es eine Meisterleistung der Mikroelektronik für den kommerziellen Massenmarkt dar. Das Regency TR-1 war das erste kommerzielle Transistorradio der Welt. Es wurde von Industrial Development Engineering Associates (IDEA) aus Indianapolis im Auftrag von Texas Instruments hergestellt und war schaltungstechnisch ein Überlagerungsempfänger (Transistorsuper) für den AM-Mittelwellenbereich. Das Regency TR-1 war mit vier npn Bipolartransistoren aus Germanium sowie einer Ferritstabantenne ausgerüstet, und in vielen Farben wie Grün, Lavendelblau, Perlmutt, Rot oder Weiß erhältlich. Am 18. Oktober 1954 mit dem Slogan „See it! Hear it! Get it!“
angekündigt, ging das Radio im November 1954 – rechtzeitig zum
Weihnachtsgeschäft – in den Verkauf. Sein Preis betrug 49,95 US-Dollar,
inflationsbereinigt entspricht dies heute 446 US-Dollar. Verkauft wurden
etwa 150.000 Geräte. Das Gerät wurde mit einer 22,5-Volt-Batterie vom Typ IEC 15F20 betrieben und hatte einen hohen Stromverbrauch. https://de.wikipedia.org/wiki/Regency_TR-1 ********************************************************I* Japan-Transistoren
********************************************************I* Pro-Electron-NORM http://de.wikipedia.org/wiki/Pro-Electron http://de.wikipedia.org/wiki/Kennbuchstaben_von_Halbleiterbauelementen Europäische-Transistoren (Typkennung) Der 1. Buchstabe des Halbleiter-Ausgangsmaterials A = Halbleiter auf Germaniumbasis B = Halbleiter auf Siliziumbasis C= Gallium Arsenid D= Indium-Antimonid R= Fotohalbleiter, Hallgeneratoren Der 2. Buchstabe beschreibt die Hauptfunktion A=Diode B= Kapazitätsdiode (Abstimmdiode) C= Kleinleistungs-Transistoren für den Tonfrequenzbereich (NF-Anwendung) bis > 15K/W D= Leistungs-Transistoren für den Tonfrequenzbereich (NF-Anwendung) bis < 15K/W E= Tunneldiode F= Hochfrequenz-Transistoren (HF-Anwendung) bis > 15K/W G=Hybride H=Hall-Feldsonde K=Hall-Generator in magnetisch offenem Kreis L= HF-Leistungs-Transistoren (HF-Anwendung) bis < 15K/W M=Hall-Generator in magnetisch geschlossenem Kreis N=Optokoppler P= Fototransistor, Photo-Halbleiter, Photoelement Q= Lumineszenzdiode, LED und LASER-Diode R= Schaltbauteile z.B. Thyristor und Triac T= Thyristor und Triac (Halbleiter-Steuerbauteile) S= Schalt-Transistoren, Schalttransistor > 15K/W U= Schalt-Leistungs-Transistoren (Transistoren für Schaltanwendungen) < 15K/W V=Antenne W=Oberflächenwellenbauteile X=Varaktor-Diode, Step-recovery-Doide Y=Leistungs-Diode, Booster-Diode, Gleichrichter Z=Z-Diode (früher Zenerdiode) Spannungsreglerdiode Buchstabe hinter der letzten Zahl bei Kleinsignaltransistoren Stromverstärkungsfaktor A = 100..260-fach, (150..300-fach) B = 240..500-fach, (250..600-fach) C = 450..900-fach, (450..900-fach) Transistor Typen der Reihe
RPY60 RPY100 Fotowiderstand BPW32..34 BPX61..65 BPX90 Silizium-Fotodiode SFH217 Silizium-PIN-Fotodiode SIEMENS BPY11P BPY47P TP60 Fotoelement (Fotozelle) BPX70 BPX81 SFH309 SFH319 Fototransistor BJT = Transistor Bipolar BC546A..BC550C sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-Transistoren im TO-92 Gehäuse ********************************************************I* Grundschaltungen des TransistorsÜbersicht: Transistor
Weitere verwandte Themen:https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm ********************************************************I* TRANSISTOR-LAGER-Liste WELS anpn-Typen pnp-Typen AC151r AC128 AC187K AC188K BC107 BC177 BC546B BC556B BC547B BC557B BC237B BC557B BC140 BC160 BC141-10 BC161-10 BC337 BC327 BC639 BC640 AD162 BD137 BD138 BD139 BD140 BD237 BD238 BD241A BD242A BD243 BD244 BD522 BD512 BD645 BD646 BD677 BD678 2N2219A 2N2905A 2N3054 2N3055T 2N2955T (MJE2955, MJ2955, PH2955T) Leistungs-Tr. TIP3055 TIP2955 Darlington BC517B BC516B Darlington BD675 BD676 Darlington BD677 BD678 Darlington BD679 BD680 Darlington BD697 Darlington BC875 2N2219A BC876 2N2905A Darlington TIP141 TIP146 AF125 HF-Transistor BF194 BFY90 2N3866 Hochspannungs-Tr. BUX85 Schalt-Tr. BU111 J-FET BF245B BF246C 2N3820 J-FET BF254 MOS-FET BS170 BS250 MOS-FET BD522 BS512 IG-FET VN66AF BF981 BFR84 UJT 2N2646 BUZ10A BUZ11 IRF9530 BUK438-800A BUZ24 UJT = Unijunktion-Transistor 2N2646 TO-18, Fototransistor BPW39 1N4148, 1N4007, 1N5404 = BY255, BAT43, BAT46, BAT49, Z-Diode BZX85C5V6, 78S05 (2,5A), LM7824CT (1A) Low-drop LM2940CT, AA143 OA81 AA113 Tunnel (Esaki) 1N3716 Schalter BA244 DIAC BR100/03 BR100-3 Klein-Thyristoren BRX45 BRX49 P-Gate-Thyristor TIC106M (3,2A), TIC116M (5,0A), TIC126M (7,5A), TO-220 P-Gate-Thyristor TIC206M (4,0A), TIC216M (6,0A), TIC226M (8,0A), TIC246M (16A), BTA04-600 BT139-600 (15A), TO-220AB Spannungsregler 7805 78L05 7905 LM337 LM317 LM350 L200 in EAGLE 3.55 1998.08.31 Transistorgehäuse (Package) in eagle35\sch\AF_GEAKT.txt (Library AF_GEAKT.brd) ********************************************************* Transistoren — Austauschtypen Äquivalenztypen — Transistoren Gehäuse TO-18 (SOT-23) und TO-92 Gehäuse TO-92 Stromverstärkung A B C Stromverstärkung A B C ältere Typen äquivalenter Typ BC107 BC171 BC182 BC237 BC 547 BC108 BC170 BC172 BC183 BC238 BC 548 BC109 BC173 BC239 BC 549 BC177 BC212 BC251 BC307 BC 557 BC213 BC250 BC252 BC308 BC 558 BC184 BC413 BC414 BC 550 BC174 BC 546 BC253 BC309 BC 559 BC256 BC 556 BC253 BC309 BC 559 BC214 BC415 BC416 BC 560 ********************************************************* http://de.wikipedia.org/wiki/JEDEC_Solid_State_Technology_Association Amerikanische-Transistoren (1Nxxxx sind Dioden, Halbleitergleichrichter) 2Nxxxx 3Nxxxx sehr oft FETs ********************************************************* Alle Transistor- und Halbleiter-Gehäuse mit Pin-Nr (1-2-3) und Bemaßung in mm. 307_a_fritz-x_Transistorgehäuse TO-3 TO-8 TO-5 TO-9 TO-12 TO-18 TO-41 TO-33 TO-39 TO-52 TO-50 TO-46_1a.pdf 307_a_fritz-x_Transistorgehäuse TO-61 TO-66 TO-63 TO-68 TO-71 TO-72 TO-80 TO-77 TO-89 TO-92 TO-93 TO-99_1a.pdf usw. http://de.wikipedia.org/wiki/Liste_von_Halbleitergehäusen http://lexikon.freenet.de/Liste_von_Halbleitergehäusen a
in www.schaltungen.at FC0070 Transistor-Gehäuse u. Anschlüsse, TO-5, TO-18, TO-66, TO-92, TO-3 Transistor Gehäuse-Bauformen, Gehäuseformen, Transistorgehäuse, transistor packageHalbleitergehäusen, Transistor-Gehäuse, Gehäusearten, Transistor-Gehäusebezeichnung, Transistor-Gehäuseformen:TO-1, TO-3 = TO-204 (2N3055), TO-5, TO-18 (SOT-23, BC107), TO-39 (BC141), TO-66 (BD239), TO=71 (6-pol), TO=72 (4-pol), TO=77 (8-pol), TO-92 TO-92e=flach oder SOT-54 (BC547, BC171, BC257, BC639), TO-125 (BD140), TO-126 (SOT-32) BD137, TO-202, TO-218 (TIP2955), TO-220 = TO-66 (BD243), TO-247=TO-3P=SOT-93, TO-3 (2N3055), TO-5, TO-226, TO-247, TOP-3, TO-3P, SOT-9 (AD148), SOT-23, SOT-37, SOT143 Miniaturgehäuse, SOT-223, SOT-143, Chipgehäuse: DIL-8, DIL-14, DIL-16, DIL-18, DIL-40, SM-8 http://www.ds-electronics.de/index.php?option=com_content&task=view&id=138 Von den Bauformen her lassen sich Transistorgehäuse in zwei Hauptgruppen gliedern: Diode Outline (DO) für Dioden und Transistor Outline (TO) für Transistoren. Diese beiden Bauformen gibt es in Small-Outline-Versionen als Small Outline Diode (SOD), Small Outline Transistor (SOT) und für SOICs als Small Outline (SO). Sie unterscheiden sich durch den produktionstechnischen Einsatz auf den Leiterplatten. Die TO-Bauform ist für die Durchstecktechnik, während die SOT-Bauformen für die SMT-Technik entwickelt wurden.
es gibt sie aber auch im Flachgehäuse (TO-220 und TO-254) für die direkte Montage auf das Chassis oder die Leiterplatte; das TO-Gehäuse kann darüber hinaus aus Metall oder Plastik bestehen. Die einzelnen Varianten hängen von der Anwendung und der Transistorleistung ab. So gibt es in der TO-Bauform Kleinsignaltransistoren (TO-18), Transistoren für niedrige Leistungen bis 1 W (TO-5 und TO-39), für mittlere Leistungen (TO-66) und hohe Leistungen (TO-3 und TO-254).
Da sich in einem Transistorgehäuse auch zwei Transistoren oder eine Transistorschaltung befinden können, gibt es Rundgehäuse mit 6 Pins (TO-78) oder mit 10 Pins (TO-100). Die SOT-Bauform wird den steigenden Anforderungen an kleinste Abmessungen gerecht. Bauteile in SOT-Bauformen haben Abmessungen im niedrigen einstelligen Millimeterbereich. So hat beispielsweise der SOT-23 Abmessungen von 1,3 mm und 3,0 mm, bei einer Dicke von 1,0 mm. Kleinste SOT-Gehäuse sind nur 0,8 mm breit und 1,6 mm lang. ********************************************************* TO-92 Es eignet sich für kleine Leistungen bis etwa einem halben Watt, was auf den hohen Wärmewiderstand des Gehäuses zurückzuführen ist.
TO-220 Transistoren in TO-220 Bauform eignen sich für Verlustleistungen von mehreren Watt, was aber stark vom verwendeten Kühlkörper abhängig ist.
SOT-23 Ähnlich wie beim TO-92 Gehäuse ist hier keine Wärmeabfuhr über Kühlkörper vorgesehen.
SOT-223 Ein zusätzlicher Anschluss ermöglich das Auflöten auf größere Metallflächen auf der Leiterplatte, die dann als Kühlkörper dienen. ********************************************************* Gehäuse-Bauformen Diskrete Bipolartransistoren werden abhängig vom Einsatzzweck in
unterschiedlichen Gehäusen untergebracht. Die gängigsten Gehäuseformen sind:
********************************************************* PrennIng. Transistor-Typen-Tabelle305_c_Tabelle-x_1500 Transistor Daten 2SA 2SB 2SC 2SC 2SD 2SK 3S (Japan-Transistoren)_4a.xls 305_c_Tabelle-x_2000 Transistor Daten 2N AC AD AF BC BD BF BU IRF TIP (Amerikanische, Europäische)_4a.xls ( Europäische Transistoren in *.xls-File nach Leistung sortiert ! ! ! ) Untergeordnete Seiten (7): 1..500 von 2N109 bis 2SB1050 501..1000 von 2SB1055 bis 2SC3112 1001..1500 von 2SC3116 bis 2SD1765 1501..2000 von 2SD1769 bis AC212 bis BC140-16 2001..2500 von BC141 bis BD648 2501..3000 von BD649 bis BFY90 bis BU508DF 3001..3500 von BU508DR bis ZTX753 *********************************************************
Die Transistor-Vergleichsdatenbank enthält alle Vergleichstypen eines Transistors und zeigt diese auf Anfrage an. Bitte keine Sonderzeichen, Leerzeichen, Bindestriche oder Wildcards eingeben. Die Eingabe der Bauteil-Bezeichnung muss nicht komplett sein! Transistor: Willst Du die Transistor-Vergleichstypen / Vergleichstabelle auf Deiner eigenen Webseite einbauen? So funktioniert es! Weitere verwandte Themen:
Die wichtigsten Grenzwerte der 3000 wichtigsten TransistorenGeben Sie in das Textfeld die Transistor-Bezeichnung ein. Es wird Ihnen der Transistor-Typ, die Grenzwerte zu Spannungsfestigkeit, Strombelastbarkeit und Leistungsaufnahme ausgegeben. Bitte keine Sonderzeichen, Leerzeichen, Bindestriche oder Wildcards eingeben. Weitere verwandte Themen:********************************************************I* http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/index.htm Elektronische Bauelemente
Lineare und nichtlineare Widerstände
Kapazitive und induktive Bauelemente
Halbleiter
Transistoren
Integrierte Schaltungen
Sonstige Bauelemente
Praxis
********************************************************I* Transistor-ÜbersichtIm Forum wird immer wieder gefragt, welcher Transistor für eine bestimmte Anwendung passend ist, dafür wurde dieser Wikieintrag angelegt.Wie in der Mosfet-Übersicht und der Dioden-Übersicht soll hier eine Liste entstehen mit gängigen Bipolar-Transistoren, die leicht erhältlich sind. Für die Typbezeichnung siehe Kennzeichnung von Halbleitern. Eine allgemeine Übersicht über verschiedene Bauteile gibt es hier: Standardbauelemente.
NPNBemerkungen:
(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)
PNP(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)
Transistor-Array(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)
Vollbrücke, Halbbrücke(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)
********************************************************I* Transistor http://www.enzyklo.de/Begriff/Transistor http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm 1. Einführung Transistor, Name für eine Gruppe von elektronischen Bauteilen, die als Verstärker oder Oszillator in der Kommunikationstechnik, Steuerung und in Computersystemen (Elektronik) eingesetzt werden können. Bis zum Jahr 1948 waren Entwicklungen im Elektronikbereich abhängig vom Einsatz thermionischer Vakuumröhren, magnetischen Verstärkern, Spezialrotationsmaschinen sowie besonderen Kondensatoren, die als Verstärker dienten. Beim Transistor handelt es sich um ein elektronisches Bauteil, das viele Funktionen der Vakuumröhre in elektrischen Schaltkreisen übernehmen kann. Im Prinzip ist ein Transistor aus einem kleinen Kristall eines Halbleiters (meistens Germanium oder Silicium bzw. Galliumarsenid) aufgebaut, an dem mindestens drei elektrische Anschlüsse angebracht sind. Die Grundkomponenten des Transistors, Basis, Emitter und Kollektor, sind mit denen der Triode (Dreielektrodenröhre) vergleichbar. Die Basis ist die Steuerelektrode des Transistors und entspricht dem Steuergitter der Triode. Der Emitter entspricht der erhitzbaren Kathode einer Triode und dient ebenfalls als Elektronenquelle. Der Kollektor ist die Anode. Der Transistor wurde bei Bell Laboratories von den amerikanischen Physikern Walter Hauser Brattain, John Bardeen und William Bradford Shockley entwickelt. Für die Entdeckung des Transistoreffekts und Untersuchungen an Halbleitern hielten die drei 1956 den Nobellpreis für Physik. Shockley war der Initiator und Direktor des Forschungsprogramms über Halbleitermaterialien, das dann letztendlich zur Entdeckung dieser Gruppe von Bauteilen führte. Seine Mitarbeiter Brattain und Bardeen erfanden einen wichtigen Typ des Transistors. 2. Aufbau der Halbleiter Der innere Aufbau eines Halbleiters verleiht ihm seine elektrischen Eigenschaften. In einem Germanium- oder Siliciumkristall sind die Atome in einer periodischen Anordnung gebunden, die ein vollständig regelmäßiges Diamantgitter bilden. Jedes Atom des Kristalls hat vier Valenzelektronen, von denen jedes mit dem Elektron eines Nachbaratoms eine Bindung eingeht. Weil die Elektronen nicht frei beweglich sind, verhält sich das reine kristalline Material bei niedrigen Temperaturen wie ein Isolator. 3. Funktion von Verunreinigungen (Dotierung) Germanium- oder Siliciumkristalle, die kleine Mengen von Verunreinigungen enthalten, können auch bei niedrigen Temperaturen elektrischen Strom leiten. Die technisch gezielte Verunreinigung von Halbleiterkristallen nennt man Dotierung. Die elektrische Leitfähigkeit des dotierten Halbleiters kann auf zwei Arten erfolgen: 1) Ein Verunreinigungselement wie z.B. Phosphor, Antimon oder Arsen wird als Donator-Verunreinigung bezeichnet, weil es überschüssige Elektronen bereitstellt. Diese Gruppe von Elementen besitzt fünf Valenzelektronen, von denen nur vier eine Bindung mit den Germanium- oder Siliciumatomen bilden. Wenn also ein elektrisches Feld angelegt wird, sind die übrigen Elektronen der Donator-Verunreinigungen im Prinzip in der Lage, sich frei durch das kristalline Material zu bewegen. Die resultierenden Halbleiter nennt man auch n-Leiter (n = negativ). 2) Im Gegensatz dazu haben Verunreinigungselemente wie beispielsweise Gallium oder Indium nur drei Valenzelektronen, so dass ihnen eines fehlt, um die zwischenatomare Verbindungsstruktur innerhalb des Kristalls zu vervollständigen. Diese Verunreinigungen werden als Akzeptor-Verunreinigungen bezeichnet, weil diese Elemente Elektronen von den Nachbaratomen akzeptieren, um ihren Mangel in der Valenzbindungstruktur auszugleichen. Die entstehenden Elektronenlücken, die so genannten Löcher, in der Struktur der Nachbaratome werden im Gegenzug durch andere Elektronen aufgefüllt usw. Diese Löcher oder Störstellen verhalten sich wie positive Ladungen, sie scheinen sich bei angelegter Spannung entgegengesetzt zu den Elektronen zu bewegen. In diesem Falle bezeichnet man die resultierenden Halbleiter auch als p-Leiter (p = positiv). 4. n-Halbleiter und p-Halbleiter Ein einzelner Kristall, der sowohl n- als auch p-Bereiche enthält, kann durch das Einführen von sowohl Donator- als auch Akzeptor-Verunreinigungen in geschmolzenes Germanium oder Silicium in einem Schmelztiegel bei unterschiedlichen Stadien der Kristallbildung erzeugt werden. Der entstandene Kristall hat zwei unterschiedliche n- und p-Bereiche. Die Verbindungsschicht zwischen den beiden Bereichen wird als n-p-Trennschicht bezeichnet. Diese Trennschicht kann auch durch das Anbringen eines Donator-Materials an der Oberfläche eines p-Kristalls oder das Anbringen eines Akzeptors an einem n-Kristall und einer anschließenden Erhitzung zur Verteilung der Verunreinigungsatome in der Außenschicht erzeugt werden. Wenn eine externe Spannung angelegt wird, verhält sich die n-p-Trennschicht wie ein Gleichrichter, der Stromfluss nur in einer Richtung durchlässt (siehe Gleichrichtung). Wenn der p-Bereich z.B. mit dem Pluspol einer Batterie und der n-Bereich mit dem Minuspol (GND) verbunden ist, fließt ein großer Strom in dem Material durch die Trennschicht. Wenn die Spannung (Batterie) umgekehrt angeschlossen wird, fließt kein Strom. 5. Arbeitsweise des Transistors Im Transistor kann eine Kombination aus zwei Trennschichten als Verstärker eingesetzt werden. Der so genannte n-p-n-Transistor enthält eine sehr dünne p-Schicht zwischen zwei n-Bereichen, die in einem Schaltkreis angeordnet sind, wie in Abbildung npn-Transistor in einer Verstärkerschaltung verdeutlicht wird. Das n-Material links auf dem Diagramm stellt das Emitterelement des Transistors dar, also die Elektronenquelle. Um einen Elektronenfluss durch die n-p-Trennschicht zu ermöglichen, weist der Emitter eine kleine negative Spannung gegenüber der p-Schicht (Basis) auf. Die Basis steuert den Elektronenfluss. Das n-Material in der Schaltung am Ausgang dient als Kollektorelement. Der Kollektor weist gegenüber der Basis eine hohe positive Spannung auf. Dadurch wird ein Stromfluss in die Gegenrichtung verhindert. Elektronen, die sich vom Emitter zur Basis bewegen, werden vom positiv geladenen Kollektor angezogen und fließen durch den Ausgangsschaltkreis. Die Eingangsimpedanz, der Widerstand gegen den Stromfluss, zwischen Emitter und Basis ist niedrig, während die Ausgangsimpedanz zwischen Kollektor und Basis hoch ist. So verursachen kleine Veränderungen in der Basisspannung große Veränderungen im Spannungsabfall über dem Kollektorwiderstand und machen den Transistor zu einem effektiven Verstärker. Eine ähnliche Funktionsweise wie der n-p-n-Transistor zeigt auch der p-n-p-Transistor, der ebenfalls zwei Trennschichten besitzt und der Triode gleicht. Andere Transistortypen mit drei Trennschichten, wie der n-p-n-p-Transistor, weisen höhere Verstärkungen auf als Zwei-Trennschicht-Transistoren. 6. Weitere Entwicklungen Ab ca. 1969 wurde der Transistor in komplexen elektronischen Anlagen zunehmend durch integrierte Schaltkreise ersetzt. Obwohl ein integrierter Schaltkreis etwa die gleichen Ausmaße wie ein Transistor aufweist, kann er die Funktion von 15 bis 20 Transistoren wahrnehmen. Eine natürliche Weiterentwicklung des integrierten Schaltkreises in den siebziger Jahren war die Herstellung von mittel-, hoch- und sehr-hoch-integrierten Schaltungen (MSI, LSI und VLSI), die die Fertigung kompakter Computer ermöglichten. Die in der Mitte der siebziger Jahre aufkommende Mikroprozessor ist eine Verfeinerung der Hochintegration (LSI: Large-Scale Integration). Als ein Ergebnis der Miniaturisierung erfüllt ein Mikroprozessor die Funktionen einer Vielzahl von Platinen und bietet die Leistungsfähigkeit der zentralen Verarbeitungseinheit von sehr viel größeren Computern in einem kleinen tragbaren, batteriegespeisten Mikrocomputer. 1995 gelang einem Forscherteam der Bell-Laboratories in den USA die Herstellung eines Transistors auf der Basis von Fullerenen, einer Kohlenstoffmodifikation (in diesem Falle C60). Weil diese aus reinem Kohlenstoff bestehende Substanz jedoch nicht stabil an der Lpft ist, bleiben Transistoren und integrierte Schaltkreise auf Fullerenbasis voerst Gegenstand der Forschung. QUELLE: Microsoft Encarta 2004 Enzyklopädie Professional 2004. 1993-2003 Microsoft Corporation. http://www.chip.de/downloads/Wikipedia-DVD-2007_2008_14963206.html http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor ********************************************************I* Ge-Spitzentransistor https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor Ulrich Tietze, Christoph Schenk: Halbleiter-Schaltungstechnik. 12. Auflage. Springer, Berlin 2002, Stefan Goßner: Grundlagen der Elektronik. prof-gossner.de. 1. Januar 2016, https://blog.hnf.de/die-geburt-des-transistors/ https://www.all-electronics.de/wp-content/uploads/migrated/article-pdf/83438/ei09-07-22.pdf Happy Birthday - Der Transistor wird 70 70. Geburtsstag des Bipolartransistors 70. Geburtstag des Transistor Als eine Art Weihnachtsgeschenk an die Chefs könnte man die interne Präsentation des ersten Transistors, eingebaut in einem Mikrofonverstärker, am 23. Dezember 1947 in den Bell Labs bezeichnen. Eine Erfindung, die unsere Welt noch heute beeinflusst. Bereits am 16. Dezember 1947 gelang es drei Wissenschaftlern in den Bell Labs – John Bardeen, Walter Houser Brattain und William Bradford Shockley – einen funktionierenden Transistorverstärker zu bauen. Sie arbeiteten mit Germanium-Spitzendioden und entdeckten, dass sich der Strom durch die Diode mit Elektroden in der Nähe der Kontaktspitze verändern lässt. Dabei stellten sie auch eine Verstärkung fest. Die Änderung des Diodenstroms entsprach einem Vielfachen des Steuerstroms. Ihr Funktionsmuster eines Spitzentransistors erreichte am 16. Dezember 1947 eine Leistungsverstärkung von 100. Dieser Bipolartransistor wurde dann am 23. Dezember 1947 in einem Mikrofonverstärker der Leitung der Bell Telephone Laboratories Inc. vorgeführt. Es dauerte noch bis zum 22. Juni 1948 bis die Erfindung dem US-amerikanischen Militär und weiteren Technikern bei den Bell Labs präsentiert wurde. Erst nachdem das Militär die Erfindung nicht als geheim zu haltendes Wissen einstufte, konnte die Arbeit veröffentlicht werden. Der entsprechende Aufsatz erschien am 25. Juni 1948 in der Zeitschrift Physical Review [1]. Dem Spitzentransistor folgte 1950 der Flächentransistor, der ebenfalls in den Bell Labs erfunden wurde. Beschrieben wurde er von Shockley zwar schon 1948, aber realisiert wurde er erst nach dem Spitzentransistor. Für ihre »Untersuchungen über Halbleiter und ihre Entdeckung des Transistoreffekts« wurden die drei Forscher 1956 mit dem Nobelpreis für Physik ausgezeichnet. Start der Transistorproduktion1951 startete Western Electric, einer der beiden Anteilseigner der Bell Laboratories, die Serienproduktion von Spitzentransistoren.Erster Anwender war das Unternehmen Sonotone, das am 29. Dezember 1952 mit dem Modell 1010 ein Hörgerät mit zwei Röhren und einem Transistor in der Ausgangsstufe vorstellte. Ende 1953 waren dann die Röhren aus den Hörgeräten vollständig verbannt – nicht nur bei Sonotone (Model 1111 mit drei Transistoren) auch bei anderen Herstellern. Zum Massenprodukt wurde der Transistor aber erst nachdem Texas Instruments zum Verkauf seiner Germanium-Transistoren ein Joint-Venture mit dem Unternehmen Regency einging.Rechtzeitig zum Weihnachtsgeschäft 1954 brachte Regency das erste tragbare Transistorradio auf den Markt. Der TR-1 mit vier Germanium-Transistoren von TI war ein Überlagerungsempfänger für den Mittelwellenbereich und lief mit einer 22,5-V-Batterie. Damit begann der Siegeszug der Halbleitertransistoren, der mit der Integration ganzer Schaltungen auf einen Halbleiterkristall sich noch beschleunigte. Am 12. September 1958 präsentierte Jack Kilby, der im gleichen Jahr erst bei Texas Instruments begonnen hatte, die erste funktionierende Schaltung auf einem Halbleiterkristall (Germanium), ein Flip-Flop. 1960 lieferten die beiden Firmen Fairchild Semiconductor und Texas Instruments bereits erste ICs an die US-Regierung – für die Raumfahrt und für das Militär. Literatur[1] Bardeen, J.; Brattain, W. H.: The Transistor. A Semi-Conductor Triode.Physical Review, 1948, H. 74, S. 230–231. 1960 waren erste ICs als Serienprodukt erhältlich – wenn auch nur für das Militär der USA und die Raumfahrt. https://www.radiomuseum.org/forumdata/users/5100/file/50_Jahre_Transistor.pdf ~300_a_fritz-x_50 Jahre Transistor 1947-12-23 bis 1997-12-23 (59 Seiten)_1a.pdf 912_d_#73-03s15-x_73xxx-11 25 Jahre Transistor (Darstellung der Entwicklung)_1a.pdf ********************************************************I* Alles von www.schaltungen.at downloadbar Suchwort "Transistor"
DIN A4 ausdrucken ********************************************************I* Impressum: Fritz Prenninger, Haidestr. 11A, A-4600 Wels, Ober-Österreich, mailto:schaltungen@schaltungen.atENDE |
Home PrennIng. Fritz >
TRANSISTOR
Untergeordnete Seiten (8):
1001..1500
1..500
1501..2000
2001..2500
2501..3000
2Nxxxx bis BUYxx
3001..3500
501..1000
Comments