TRANSISTOR

http://sites.prenninger.com/elektronik/home/transistor

http://www.linksammlung.info/

http://www.schaltungen.at/

                                                                                             Wels, am 2015-01-08

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~015_b_PrennIng-a_elektronik-home-transistor (xx Seiten)_1a.pdf

 Transistor

             Bipolare Transistoren  BJT                                                                                   

Bell-Transistor Nr. 9 im Deutschen Museum in München

 tauchte erst 2006 in einer Streichholzschachtel wieder auf  - Fa. Bell-Laboratorien

SIEMENS hat ab 1953 in München  Bipolar-Transistoren aus Ge = Germanium hergestellt

                           Spannungs- und Stromverteilung am Transistor

Strom und Spannung am NPN-Transistor        Strom und Spannung am PNP-Transistor

https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm



Lieferantenübersicht

http://www.reichelt.at/?ACTION=2;PROVID=2597;GRUPPE=A121;&utm_source=Google-AT&utm_medium=CPC&utm_campaign=AT-fgrun_Halbleiter


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             Regency TR-1 Transitorradio
                 Das Transistorradio - 18. Oktober 1954
Manchmal braucht es erst ein gutes Endprodukt, um den Nutzen eines Bauteils zu demonstrieren.
Die ersten Bipolar-Transistoren, zunächst noch auf Germanium-Basis, wurden bereits 1947 entwickelt.
Seit 1952 besaß Texas Instruments eine Lizenz zur Fertigung solcher Halbleiter.
Doch obwohl das Bauteil preiswert, klein und leichtgewichtig war, fand das junge Unternehmer keine Käufer:
Gerätehersteller setzten weiter Elektronenröhren als Schalt- und Verstärkungselemente ein, die zwar klobig und zerbrechlich waren, aber als zuverlässig galten.
So beschloss die Firma, einen Bedarf zu schaffen:
Am 18. Oktober 1954 kündigte Texas Instruments in Kooperation mit dem Hersteller Regency das Transistorradio TR-1 an.
Der weltweit erste leichte, batteriebetriebene Radioempfänger kostete relativ teure 49,95 US-$, wurde aber sofort zum Verkaufsschlager.
Insgesamt verkaufte sich das TR-1 etwa 140.000-mal.
Der Erfolg führte Herstellern den Nutzen von Transistoren vor Augen - und die Ära der Mikroelektronik konnte beginnen.


Regency TR-1 Transitorradio

Mit dem batteriebetriebenen, tragbaren Radio machten Texas Instruments und das amerikanische Ingenieurbüro I.D.E.A. (Industrial Deve-lopment Engineering Associates) 1954 den Transistor populär. Mit nur einem Drehknopf für die
Senderfrequenz, einem Lautstärkeregler und einem Lautsprecher wirkt das Regency TR-1 heute spartanisch, doch in den 1950er Jahren stellte es eine Meisterleistung der Mikroelektronik für den
kommerziellen Massenmarkt dar.


Das Regency TR-1 war das erste kommerzielle Transistorradio der Welt.

Es wurde von Industrial Development Engineering Associates (IDEA) aus Indianapolis im Auftrag von Texas Instruments hergestellt und war schaltungstechnisch ein Überlagerungsempfänger (Transistorsuper) für den AM-Mittelwellenbereich.

Das Regency TR-1 war mit vier npn Bipolartransistoren aus Germanium sowie einer Ferritstabantenne ausgerüstet, und in vielen Farben wie Grün, Lavendelblau, Perlmutt, Rot oder Weiß erhältlich.

Am 18. Oktober 1954 mit dem Slogan „See it! Hear it! Get it!“ angekündigt, ging das Radio im November 1954 – rechtzeitig zum Weihnachtsgeschäft – in den Verkauf.

Sein Preis betrug 49,95 US-Dollar, inflationsbereinigt entspricht dies heute 446 US-Dollar.

Verkauft wurden etwa 150.000 Geräte.

Das Gerät wurde mit einer 22,5-Volt-Batterie vom Typ IEC 15F20 betrieben und hatte einen hohen Stromverbrauch.


Schaltplan des ersten Transistorradios Regency TR-1

https://de.wikipedia.org/wiki/Regency_TR-1




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                                  Japan-Transistoren
Beginning of Part Number Type of Transistor
2SAxxxx high frequency PNP BJTs
2SBxxxx audio frequency PNP BJTs
2SCxxxx high frequency NPN BJTs
2SDxxxx audio frequency NPN BJTs
2SJxxxx P-channel FETs (both JFETs and MOSFETs)
2SKxxxx N-channel FETs (both JFETs and MOSFETs)




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                                  Pro-Electron-NORM
http://de.wikipedia.org/wiki/Pro-Electron
http://de.wikipedia.org/wiki/Kennbuchstaben_von_Halbleiterbauelementen

                                  Europäische-Transistoren (Typkennung)

Der 1. Buchstabe des Halbleiter-Ausgangsmaterials
A = Halbleiter auf Germaniumbasis
B = Halbleiter auf Siliziumbasis
C= Gallium Arsenid
D= Indium-Antimonid
R= Fotohalbleiter, Hallgeneratoren


Der 2. Buchstabe beschreibt die Hauptfunktion
A=Diode
B= Kapazitätsdiode (Abstimmdiode)
C= Kleinleistungs-Transistoren für den Tonfrequenzbereich (NF-Anwendung)  bis > 15K/W
D= Leistungs-Transistoren für den Tonfrequenzbereich (NF-Anwendung)  bis < 15K/W
E= Tunneldiode
F= Hochfrequenz-Transistoren (HF-Anwendung) bis > 15K/W
G=Hybride
H=Hall-Feldsonde
K=Hall-Generator in magnetisch offenem Kreis
L= HF-Leistungs-Transistoren (HF-Anwendung) bis < 15K/W
M=Hall-Generator in magnetisch geschlossenem Kreis
N=Optokoppler
P= Fototransistor, Photo-Halbleiter, Photoelement
Q= Lumineszenzdiode, LED und LASER-Diode
R= Schaltbauteile z.B. Thyristor und Triac
T= Thyristor und Triac (Halbleiter-Steuerbauteile)
S= Schalt-Transistoren, Schalttransistor  > 15K/W
U= Schalt-Leistungs-Transistoren (Transistoren für Schaltanwendungen) < 15K/W
V=Antenne
W=Oberflächenwellenbauteile
X=Varaktor-Diode, Step-recovery-Doide
Y=Leistungs-Diode, Booster-Diode, Gleichrichter
Z=Z-Diode (früher Zenerdiode) Spannungsreglerdiode



Buchstabe hinter der letzten Zahl bei Kleinsignaltransistoren
Stromverstärkungsfaktor
A = 100..260-fach, (150..300-fach)
B = 240..500-fach, (250..600-fach)
C = 450..900-fach, (450..900-fach)

Transistor Typen der Reihe
Prefix class Usage Example
ACxxx Germanium small signal transistor AC126
AFxxx Germanium RF transistor AF117
BCxxx Silicon, small signal transistor ("allround") BC548B
BDxxx Silicon, power transistor BD139
BFxxx Silicon, RF (high frequency) BJT or FET BF245
BSxxx Silicon, switching transistor (BJT or MOSFET) BS170
BLxxx Silicon, high frequency, high power (for transmitters) BLW34
BUxxx Silicon, high voltage (for CRT horizontal deflection circuits) BU508

RPY60  RPY100 Fotowiderstand

BPW32..34  BPX61..65  BPX90 Silizium-Fotodiode
SFH217 Silizium-PIN-Fotodiode SIEMENS
BPY11P BPY47P TP60  Fotoelement (Fotozelle)

BPX70  BPX81  SFH309 SFH319 Fototransistor

BJT = Transistor Bipolar

BC546A..BC550C sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-Transistoren im TO-92 Gehäuse




********************************************************I*

                                 Standard-Typen von bipolare Transistoren



Grundschaltungen des Transistors

Übersicht: Transistor

Weitere verwandte Themen:


https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm




********************************************************I*
               TRANSISTOR-LAGER-Liste WELS
npn-Typen         pnp-Typen
AC151r            AC128
AC187K            AC188K
BC107             BC177
BC546B            BC556B
BC547B            BC557B
BC237B            BC557B
BC140             BC160
BC141-10          BC161-10
BC337             BC327
BC639             BC640
AD162
BD137             BD138
BD139             BD140
BD237             BD238
BD241A            BD242A
BD243             BD244
BD522             BD512
BD645             BD646
BD677             BD678
2N2219A           2N2905A
2N3054
2N3055T           2N2955T (MJE2955, MJ2955, PH2955T) Leistungs-Tr.
TIP3055           TIP2955
Darlington BC517B BC516B
Darlington BD675  BD676
Darlington BD677  BD678
Darlington BD679  BD680
Darlington BD697 
Darlington BC875 2N2219A  BC876 2N2905A
Darlington TIP141  TIP146
                          AF125
HF-Transistor BF194 BFY90  2N3866
Hochspannungs-Tr. BUX85
Schalt-Tr.   BU111
J-FET   BF245B      BF246C 2N3820
J-FET   BF254
MOS-FET BS170     BS250
MOS-FET BD522     BS512
IG-FET VN66AF  BF981 BFR84
UJT 2N2646
BUZ10A  BUZ11
 
   IRF9530
BUK438-800A  BUZ24 


UJT = Unijunktion-Transistor 2N2646 TO-18,
Fototransistor BPW39
1N4148, 1N4007, 1N5404 = BY255,
BAT43, BAT46, BAT49,
Z-Diode BZX85C5V6,

78S05 (2,5A), LM7824CT (1A) Low-drop LM2940CT,

AA143  OA81  AA113
Tunnel (Esaki) 1N3716
Schalter BA244

DIAC BR100/03  BR100-3
Klein-Thyristoren BRX45  BRX49
P-Gate-Thyristor TIC106M (3,2A),  TIC116M
(5,0A), TIC126M (7,5A), TO-220
P-Gate-Thyristor TIC206M (4,0A),  TIC216M (6,0A), TIC226M (8,0A), TIC246M (16A), BTA04-600  BT139-600 (15A), TO-220AB

Spannungsregler 7805 78L05 7905  LM337  LM317  LM350   L200

in EAGLE 3.55 1998.08.31 
Transistorgehäuse (Package) in eagle35\sch\AF_GEAKT.txt (Library AF_GEAKT.brd)




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                         Transistoren — Austauschtypen
                                 Äquivalenztypen — Transistoren
Gehäuse TO-18 (SOT-23) und TO-92 Gehäuse TO-92
Stromverstärkung A B C           Stromverstärkung  A B C
ältere Typen                     äquivalenter Typ
BC107 BC171 BC182 BC237          BC 547
BC108 BC170 BC172 BC183 BC238    BC 548
BC109 BC173 BC239                BC 549
BC177 BC212 BC251 BC307          BC 557
BC213 BC250 BC252 BC308          BC 558
BC184 BC413 BC414                BC 550
BC174                            BC 546
BC253 BC309                      BC 559
BC256                            BC 556
BC253 BC309                      BC 559
BC214 BC415 BC416                BC 560



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http://de.wikipedia.org/wiki/JEDEC_Solid_State_Technology_Association

                                    Amerikanische-Transistoren
(1Nxxxx sind Dioden, Halbleitergleichrichter)
2Nxxxx
3Nxxxx sehr oft FETs



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Alle Transistor- und Halbleiter-Gehäuse mit Pin-Nr (1-2-3) und Bemaßung in mm.
307_a_fritz-x_Transistorgehäuse TO-3 TO-8 TO-5 TO-9 TO-12 TO-18 TO-41 TO-33 TO-39 TO-52 TO-50 TO-46_1a.pdf
307_a_fritz-x_Transistorgehäuse TO-61 TO-66 TO-63 TO-68 TO-71 TO-72 TO-80 TO-77 TO-89 TO-92 TO-93 TO-99_1a.pdf

usw.
a
http://de.wikipedia.org/wiki/Liste_von_Halbleitergehäusen
http://lexikon.freenet.de/Liste_von_Halbleitergehäusen

a
in www.schaltungen.at
FC0070 Transistor-Gehäuse u. Anschlüsse, TO-5, TO-18, TO-66, TO-92, TO-3

Transistor Gehäuse-Bauformen, Gehäuseformen,

Transistorgehäuse, transistor package

Halbleitergehäusen, Transistor-Gehäuse, Gehäusearten, Transistor-Gehäusebezeichnung, Transistor-Gehäuseformen: 
TO-1, TO-3 = TO-204 (2N3055), TO-5, TO-18 (SOT-23, BC107), TO-39 (BC141), TO-66 (BD239), TO=71 (6-pol), 
TO=72 (4-pol), TO=77 (8-pol), TO-92 TO-92e=flach oder SOT-54 (BC547, BC171, BC257, BC639),
TO-125 (BD140), TO-126 (SOT-32) BD137, TO-202, TO-218 (TIP2955),  TO-220 = TO-66 (BD243),
TO-247=TO-3P=SOT-93, TO-3 (2N3055), TO-5, TO-226, TO-247, TOP-3, TO-3P,
SOT-9 (AD148), SOT-23,  SOT-37, SOT143 Miniaturgehäuse, SOT-223, SOT-143,
Chipgehäuse: DIL-8, DIL-14, DIL-16, DIL-18, DIL-40, SM-8

http://www.ds-electronics.de/index.php?option=com_content&task=view&id=138

Von den Bauformen her lassen sich Transistorgehäuse in zwei Hauptgruppen gliedern:
Diode Outline (DO) für Dioden und Transistor Outline (TO) für Transistoren.
Diese beiden Bauformen gibt es in Small-Outline-Versionen als Small Outline Diode (SOD), Small Outline Transistor (SOT) und für SOICs als Small Outline (SO).
Sie unterscheiden sich durch den produktionstechnischen Einsatz auf den Leiterplatten.
Die TO-Bauform ist für die Durchstecktechnik, während die SOT-Bauformen für die SMT-Technik entwickelt wurden.

Transistor-Rundgehäuse, TO-Bauform
Transistor-Rundgehäuse, TO-Bauform lexikon, kompendium, computer, it, elektronik
Transistorgehäuse in TO-Bauform können ein Rundgehäuse haben;
es gibt sie aber auch im Flachgehäuse (TO-220 und TO-254) für die direkte Montage auf das Chassis oder die Leiterplatte;
das TO-Gehäuse kann darüber hinaus aus Metall oder Plastik bestehen.
Die einzelnen Varianten hängen von der Anwendung und der Transistorleistung ab.
So gibt es in der TO-Bauform Kleinsignaltransistoren (TO-18), Transistoren für niedrige Leistungen bis 1 W (TO-5 und TO-39),
für mittlere Leistungen (TO-66) und hohe Leistungen (TO-3 und TO-254).

Beispiele für Transistorgehäuse: DO-, TO- und SOT-Bauform
Beispiele für Transistorgehäuse: DO-, TO- und SOT-Bauform lexikon, kompendium, computer, it, elektronik
Neben der Transistorleistung hängt die Größe der TO-Bauform von der Anzahl der Anschlussdrähte ab.
Da sich in einem Transistorgehäuse auch zwei Transistoren oder eine Transistorschaltung befinden können,
gibt es Rundgehäuse mit 6 Pins (TO-78) oder mit 10 Pins (TO-100).
Die SOT-Bauform wird den steigenden Anforderungen an kleinste Abmessungen gerecht.
Bauteile in SOT-Bauformen haben Abmessungen im niedrigen einstelligen Millimeterbereich.
So hat beispielsweise der SOT-23 Abmessungen von 1,3 mm und 3,0 mm, bei einer Dicke von 1,0 mm.
Kleinste SOT-Gehäuse sind nur 0,8 mm breit und 1,6 mm lang.




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TO-92

Dies ist die wohl typischste Bauform eines Transistors.
Es eignet sich für kleine Leistungen bis etwa einem halben Watt, was auf den hohen Wärmewiderstand des Gehäuses zurückzuführen ist.

 

TO-220

Transistoren in TO-220 Bauform eignen sich für Verlustleistungen von mehreren Watt, was aber stark vom verwendeten Kühlkörper abhängig ist.

 

SOT-23


Die SOT-23 Bauform wird häufig für kleine Leistungen in mit SMD Technik realisierten Schaltungen verwendet.
Ähnlich wie beim TO-92 Gehäuse ist hier keine Wärmeabfuhr über Kühlkörper vorgesehen.

 

SOT-223

Für in SMD gefertigte Schaltungen eignen sich Transistoren im SOT-223 Gehäuse für größere Leistungen.
Ein zusätzlicher Anschluss ermöglich das Auflöten auf größere Metallflächen auf der Leiterplatte, die dann als Kühlkörper dienen. 



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                               Gehäuse-Bauformen

Diskrete Bipolartransistoren werden abhängig vom Einsatzzweck in unterschiedlichen Gehäusen untergebracht.

Die gängigsten Gehäuseformen sind:

  • Bedrahtete Gehäuse (Durchsteckmontage, kurz THT von engl. through hole technology):
    • TO-92 (Plastikgehäuse 5 × 5,2 mm2)
    • TO-18 und TO-39 (becherförmige Metallgehäuse, vergossen; veraltet)
    • TO-220 (Plastikgeh. mit Lasche zur Kühlkörper-Montage, 9,9 × 15,6 mm2)
    • TO-218 (15 × 20,3 mm2; Plaste mit Metall-Kühlfläche)
    • TO-247 (Plastikgeh. mit Metallfläche zur Kühlkörper-Montage)
    • TO-3 (Metallgehäuse zur Kühlkörper-Montage; veraltet)
    • TO-3P (ähnlich TO-218; mit Metallfläche zur Kühlkörper-Montage)
  • Gehäuse für Oberflächenmontage (SMD von engl. surface mounted device); Wärmeableitung über Lötverbindungen zur Leiterplatte:
    • SOT-23 (1,3 × 2,9 mm2)
    • SOT-89 (2,6 × 4,5 mm2)
    • SOT-223 (3,5 × 6,5 mm2)
    • D-PAK, D2-PAK (höhere Verlustleistungen)



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                   PrennIng. Transistor-Typen-Tabelle


305_c_Tabelle-x_1500 Transistor Daten  2SA 2SB 2SC 2SC 2SD 2SK 3S (Japan-Transistoren)_4a.xls
305_c_Tabelle-x_2000 Transistor Daten  2N AC AD AF BC BD BF BU IRF TIP (Amerikanische, Europäische)_4a.xls

( Europäische Transistoren in *.xls-File nach Leistung sortiert  ! ! ! )


Untergeordnete Seiten (7):

1..500 von 2N109 bis 2SB1050
501..1000 von 2SB1055 bis 2SC3112
1001..1500 von
2SC3116 bis 2SD1765
1501..2000 von 2SD1769 bis AC212 bis BC140-16
2001..2500 von BC141 bis BD648
2501..3000 von BD649 bis BFY90 bis BU508DF

3001..3500 von BU508DR bis ZTX753





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http://www.elektronik-kompendium.de/service/trsvgldb.php
            EL-KO Transistor-Vergleichstypen / Vergleichstabelle

Die Transistor-Vergleichsdatenbank enthält alle Vergleichstypen eines Transistors und zeigt diese auf Anfrage an.
Bitte keine Sonderzeichen, Leerzeichen, Bindestriche oder Wildcards eingeben.
Die Eingabe der Bauteil-Bezeichnung muss nicht komplett sein!

Transistor:

Willst Du die Transistor-Vergleichstypen / Vergleichstabelle auf Deiner eigenen Webseite einbauen? So funktioniert es!

Weitere verwandte Themen:






*********************************************************
http://www.elektronik-kompendium.de/service/trsdb.php
                          EL-KO Transistor-Datenblatt

Die wichtigsten Grenzwerte der 3000 wichtigsten Transistoren

Geben Sie in das Textfeld die Transistor-Bezeichnung ein.

Es wird Ihnen der Transistor-Typ, die Grenzwerte zu Spannungsfestigkeit, Strombelastbarkeit und Leistungsaufnahme ausgegeben.

Bitte keine Sonderzeichen, Leerzeichen, Bindestriche oder Wildcards eingeben.
Die Eingabe der Bauteil-Bezeichnung muss komplett sein!

Transistor-Bezeichnung:

Weitere verwandte Themen:





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http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/index.htm

Elektronische Bauelemente

Lineare und nichtlineare Widerstände

Kapazitive und induktive Bauelemente

Halbleiter

Transistoren

Integrierte Schaltungen

Sonstige Bauelemente

Praxis




********************************************************I*

                   Transistor-Übersicht

Im Forum wird immer wieder gefragt, welcher Transistor für eine bestimmte Anwendung passend ist, dafür wurde dieser Wikieintrag angelegt.
Wie in der Mosfet-Übersicht und der Dioden-Übersicht soll hier eine Liste entstehen mit gängigen Bipolar-Transistoren, die leicht erhältlich sind.
Für die Typbezeichnung siehe Kennzeichnung von Halbleitern.
Eine allgemeine Übersicht über verschiedene Bauteile gibt es hier: Standardbauelemente.

Inhaltsverzeichnis

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NPN

Bemerkungen:

  • UCE = Maximale Kollektor-Emitter-Spannung bei IC = 0
  • IC = Maximaler Kollektorstrom
  • SOT-32 = TO-126

(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)

Bezeichnung        Package        UCE/V        IC/A        β (Beta)       β@IC       VCEsat        Ptot/W       fG/MHz       Bemerkung       Lieferant       Datenblatt       ca. Preis/€       
PN2222 TO-92 30 0,8 100-300
1 0.6 300 Allrounder Rei National 0.06
2N3904 TO-92 60 0.2 100-300

0.5 300 Schalttransistor Rei Fairchild 0.04
2N3055 TO-3 60 15 20-70

115 2.5 Leistungstransistor Rei alldatasheet.com 0.40
BC107B TO-18 45 0.1 200-450

0.3 300
Rei alldatasheet.com 0.23
BC547B TO-92 45 0.1 125-500
0.9 0.625 300 Schalttransistor Rei Fairchild 0.04
BD679A TO-126 80 4 750

40
Darlington Rei alldatasheet.com 0.21
MPSA42 TO-92 300 0.5 40

0.625 50 hohe Spannung Rei Fairchild 0.05
BC337 TO-92 45 0.8 100-630 100 0.7 0.625 210
Rei Fairchild 0.05
BC368 TO-92 20 1.5 100-450

0.625 40
Rei Fairchild 0.08
FMMT617 SOT-23 15 3 60-300 300 0.15 0.625
Schalttransistor Rei Zetex 0.27
FMMT619 SOT-23 50 2 40-400 200 0.2 0.625
Schalttransistor Rei Zetex 0.32
FMMT625 SOT-23 150 1 15-400 45 0.2 0.625
Schalttransistor Rei Zetex 0.32
MJ15003 TO-3 140 20 25-150

250 2 Leistungstransistor Rei Far alldatasheet.com 1.55
BD131 TO-126 45 3 30-70

15 60 Mittlere Leistung, guter Allrounder Rei ? Fairchild 0.21
BC517 TO-92 30 0.5 30000
1 0.6 200 Darlington Rei NXP 0.08
BCW66 SOT-23 45 0.8 100-630
0.9 0.36 170
Rei Zetex 0.041
BFR92 SOT-23 15 0.3 50

0.2 5000 Hochfrequenz Rei ...
0.16
BUX85 TO-220 450 2 >35

40 12
Rei Con bourns.com 0.48
TIP41C TO-220 100 6 15 3000 1.5 65 3
csd Rei Con
0.24
BSR14 SOT-23 40 0.8 100 0.15 1 0.35 300
Rei NXP 0.08
BF199 TO-92 25 0.05
38 0.2 0.35 700 alter HF-Transistor Rei Con Far ... NXP 0.35

PNP

(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)

Bezeichnung        Package        UCE/V        IC/A        β (Beta)        Ptot/W        fG/MHz        Bemerkung        Lieferant        Datenblatt        ca. Preis/€       
2N3906 TO-92 40 0.2 100-300 0.5 250
Rei alldatasheet.com 0.05
BC560 TO-92 45 0,1 110-800 0.5 150
Rei alldatasheet.com 0.04
BC327 TO-92 45 0.8 100-630 0.625
Komplement zu BC337 Rei alldatasheet.com 0.04
BC369 TO-92 20 1.5 100-400 0.625
Komplement zu BC368 Rei alldatasheet.com 0.08
FMMT717 SOT-23 12 2.5 50-300 0.625
Komplement zu FMMT617 Rei Zetex 0.19
BD438 TO-126 45 4 30-140 36 3
Rei alldatasheet.com 0.17
MJ2955 TO-3 60 15 20-70 115 2.5 2N3055 Komplement Rei alldatasheet.com 0.40
BD132 TO-126 45 3 30-120 15 60 Komplement zu BD131 Rei,? alldatasheet.com 0.20
BC516 TO-92 30 0.5 30000 0.5 220 Komplement zum BC517 Rei alldatasheet.com 0.12
BCP53 SOT-223 80 1
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BDP950 SOT-223 60 3
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BSR15 SOT-23 40 0.8 100 0.25 200 Schalttransistor Rei NXP 0.09

Transistor-Array

(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)

Bezeichnung        Package        UCE/V        IC/A        β (Beta)        Ptot/W        fT/MHz        Bemerkung        Lieferant        Datenblatt        ca. Preis/€       
NTE912 DIL-14 - - - - - 5 NPN-Transistoren Far NTE 3.50
CA3086 DIL-14 - - - - - 5 NPN-Transistoren, abgekündigt eBay Intersil 0.50
BCV61 SOT-143 30 0.1 100-800 0.25 100 2 NPN-Transistoren für Stromspiegel Rei, Far alldatasheet.com 0.14
BCV62 SOT-143 30 0.1 100-800 0.25 100 2 PNP-Transistoren für Stromspiegel Rei, Far alldatasheet.com 0.19
ULN2801 ULN2802 ULN2803 ULN2804 DIL-18 SO-18 50 0.35
1 kHz 8x Low-Side NPN-Darlington, Freilaufdiode, max 500mA insgesamt Rei, Far, alle alldatasheet.com 0.35 - 0,50
UDN2981 DIL-18 SO-18 50 0.35
1 kHz 8x High-Side NPN-Darlington, Freilaufdiode, max 500mA insgesamt Rei, Far Allegro 1.75

Vollbrücke, Halbbrücke

(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)

Bezeichnung        Package        UCE/V        IC/A        β (Beta)        Ptot/W        fT/MHz        Bemerkung        Lieferant        Datenblatt        ca. Preis/€       
ZDT 6790 TA SM-8 - - - - - Halbbrücke 1x NPN, 1x PNP Rei Datasheetarchive.com 0,74 €
ZHB6792 SM-8 - - - - - H-brücke 2x NPN, 2x PNP Rei Diodes.com 1,70 €





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                     Transistor









http://www.enzyklo.de/Begriff/Transistor
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm

                            
1. Einführung

Transistor,
Name für eine Gruppe von elektronischen Bauteilen, die als Verstärker oder Oszillator in der Kommunikationstechnik, Steuerung und in Computersystemen (Elektronik) eingesetzt werden können.
Bis zum Jahr 1948 waren Entwicklungen im Elektronikbereich abhängig vom Einsatz thermionischer Vakuumröhren, magnetischen Verstärkern, Spezialrotationsmaschinen sowie besonderen Kondensatoren, die als Verstärker dienten.
Beim Transistor handelt es sich um ein elektronisches Bauteil, das viele Funktionen der Vakuumröhre in elektrischen Schaltkreisen übernehmen kann.
Im Prinzip ist ein Transistor aus einem kleinen Kristall eines Halbleiters (meistens Germanium oder Silicium bzw. Galliumarsenid) aufgebaut, an dem mindestens drei elektrische Anschlüsse angebracht sind.
Die Grundkomponenten des Transistors, Basis, Emitter und Kollektor, sind mit denen der Triode (Dreielektrodenröhre) vergleichbar.

Die Basis ist die Steuerelektrode des Transistors und entspricht dem Steuergitter der Triode.
Der Emitter entspricht der erhitzbaren Kathode einer Triode und dient ebenfalls als Elektronenquelle.
Der Kollektor ist die Anode.

Der Transistor wurde bei Bell Laboratories von den amerikanischen Physikern Walter Hauser Brattain, John Bardeen und William Bradford Shockley entwickelt.
Für die Entdeckung des Transistoreffekts und Untersuchungen an Halbleitern hielten die drei 1956 den Nobellpreis für Physik.
Shockley war der Initiator und Direktor des Forschungsprogramms über Halbleitermaterialien, das dann letztendlich zur Entdeckung dieser Gruppe von Bauteilen führte.
Seine Mitarbeiter Brattain und Bardeen erfanden einen wichtigen Typ des Transistors.



2. Aufbau der Halbleiter

Der innere Aufbau eines Halbleiters verleiht ihm seine elektrischen Eigenschaften.
In einem Germanium- oder Siliciumkristall sind die Atome in einer periodischen Anordnung gebunden, die ein vollständig regelmäßiges Diamantgitter bilden.
Jedes Atom des Kristalls hat vier Valenzelektronen, von denen jedes mit dem Elektron eines Nachbaratoms eine Bindung eingeht.
Weil die Elektronen nicht frei beweglich sind, verhält sich das reine kristalline Material bei niedrigen Temperaturen wie ein Isolator.



3. Funktion von Verunreinigungen (Dotierung)

Germanium- oder Siliciumkristalle, die kleine Mengen von Verunreinigungen enthalten, können auch bei niedrigen Temperaturen elektrischen Strom leiten.
Die technisch gezielte Verunreinigung von Halbleiterkristallen nennt man Dotierung.

Die elektrische Leitfähigkeit des dotierten Halbleiters kann auf zwei Arten erfolgen:
1) Ein Verunreinigungselement wie z.B. Phosphor, Antimon oder Arsen wird als Donator-Verunreinigung bezeichnet, weil es überschüssige Elektronen bereitstellt.
Diese Gruppe von Elementen besitzt fünf Valenzelektronen, von denen nur vier eine Bindung mit den Germanium- oder Siliciumatomen bilden.
Wenn also ein elektrisches Feld angelegt wird, sind die übrigen Elektronen der Donator-Verunreinigungen im Prinzip in der Lage, sich frei durch das kristalline Material zu bewegen.
Die resultierenden Halbleiter nennt man auch n-Leiter (n = negativ).
2) Im Gegensatz dazu haben Verunreinigungselemente wie beispielsweise Gallium oder Indium nur drei Valenzelektronen, so dass ihnen eines fehlt, um die zwischenatomare Verbindungsstruktur innerhalb des Kristalls zu vervollständigen.
Diese Verunreinigungen werden als Akzeptor-Verunreinigungen bezeichnet, weil diese Elemente Elektronen von den Nachbaratomen akzeptieren, um ihren Mangel in der Valenzbindungstruktur auszugleichen.
Die entstehenden Elektronenlücken, die so genannten Löcher, in der Struktur der Nachbaratome werden im Gegenzug durch andere Elektronen aufgefüllt usw.
Diese Löcher oder Störstellen verhalten sich wie positive Ladungen, sie scheinen sich bei angelegter Spannung entgegengesetzt zu den Elektronen zu bewegen.
In diesem Falle bezeichnet man die resultierenden Halbleiter auch als p-Leiter (p = positiv).



4. n-Halbleiter und p-Halbleiter

Ein einzelner Kristall, der sowohl n- als auch p-Bereiche enthält, kann durch das Einführen von sowohl Donator- als auch Akzeptor-Verunreinigungen in geschmolzenes Germanium oder Silicium in einem Schmelztiegel bei unterschiedlichen Stadien der Kristallbildung erzeugt werden.
Der entstandene Kristall hat zwei unterschiedliche n- und p-Bereiche.
Die Verbindungsschicht zwischen den beiden Bereichen wird als n-p-Trennschicht bezeichnet.
Diese Trennschicht kann auch durch das Anbringen eines Donator-Materials an der Oberfläche eines p-Kristalls oder das Anbringen eines Akzeptors an einem n-Kristall und einer anschließenden Erhitzung zur Verteilung der Verunreinigungsatome in der Außenschicht erzeugt werden.
Wenn eine externe Spannung angelegt wird, verhält sich die n-p-Trennschicht wie ein Gleichrichter, der Stromfluss nur in einer Richtung durchlässt (siehe Gleichrichtung).
Wenn der p-Bereich z.B. mit dem Pluspol einer Batterie und der n-Bereich mit dem Minuspol (GND) verbunden ist, fließt ein großer Strom in dem Material durch die Trennschicht.
Wenn die Spannung (Batterie) umgekehrt angeschlossen wird, fließt kein Strom.


5. Arbeitsweise des Transistors


Im Transistor kann eine Kombination aus zwei Trennschichten als Verstärker eingesetzt werden.
Der so genannte n-p-n-Transistor enthält eine sehr dünne p-Schicht zwischen zwei n-Bereichen, die in einem Schaltkreis angeordnet sind, wie in Abbildung npn-Transistor in einer Verstärkerschaltung verdeutlicht wird.
Das n-Material links auf dem Diagramm stellt das Emitterelement des Transistors dar, also die Elektronenquelle.
Um einen Elektronenfluss durch die n-p-Trennschicht zu ermöglichen, weist der Emitter eine kleine negative Spannung gegenüber der p-Schicht (Basis) auf.
Die Basis steuert den Elektronenfluss.
Das n-Material in der Schaltung am Ausgang dient als Kollektorelement.
Der Kollektor weist gegenüber der Basis eine hohe positive Spannung auf.
Dadurch wird ein Stromfluss in die Gegenrichtung verhindert.
Elektronen, die sich vom Emitter zur Basis bewegen, werden vom positiv geladenen Kollektor angezogen und fließen durch den Ausgangsschaltkreis.
Die Eingangsimpedanz, der Widerstand gegen den Stromfluss, zwischen Emitter und Basis ist niedrig, während die Ausgangsimpedanz zwischen Kollektor und Basis hoch ist.
So verursachen kleine Veränderungen in der Basisspannung große Veränderungen im Spannungsabfall über dem Kollektorwiderstand und machen den Transistor zu einem effektiven Verstärker.

Eine ähnliche Funktionsweise wie der n-p-n-Transistor zeigt auch der p-n-p-Transistor, der ebenfalls zwei Trennschichten besitzt und der Triode gleicht.
Andere Transistortypen mit drei Trennschichten, wie der n-p-n-p-Transistor, weisen höhere Verstärkungen auf als Zwei-Trennschicht-Transistoren.


6. Weitere Entwicklungen

Ab ca. 1969  wurde der Transistor in komplexen elektronischen Anlagen zunehmend durch integrierte Schaltkreise ersetzt.
Obwohl ein integrierter Schaltkreis etwa die gleichen Ausmaße wie ein Transistor aufweist, kann er die Funktion von 15 bis 20 Transistoren wahrnehmen.
Eine natürliche Weiterentwicklung des integrierten Schaltkreises in den siebziger Jahren war die Herstellung von mittel-, hoch- und sehr-hoch-integrierten Schaltungen (MSI, LSI und VLSI), die die Fertigung kompakter Computer ermöglichten.
Die in der Mitte der siebziger Jahre aufkommende Mikroprozessor ist eine Verfeinerung der Hochintegration (LSI: Large-Scale Integration).
Als ein Ergebnis der Miniaturisierung erfüllt ein Mikroprozessor die Funktionen einer Vielzahl von Platinen und bietet die Leistungsfähigkeit der zentralen Verarbeitungseinheit von sehr viel größeren Computern in einem kleinen tragbaren, batteriegespeisten Mikrocomputer.
1995 gelang einem Forscherteam der Bell-Laboratories in den USA die Herstellung eines Transistors auf der Basis von Fullerenen, einer Kohlenstoffmodifikation (in diesem Falle C60).
Weil diese aus reinem Kohlenstoff bestehende Substanz jedoch nicht stabil an der Lpft ist, bleiben Transistoren und integrierte Schaltkreise auf Fullerenbasis voerst Gegenstand der Forschung.


QUELLE:
Microsoft Encarta 2004
Enzyklopädie Professional 2004.
1993-2003 Microsoft Corporation. 

http://www.chip.de/downloads/Wikipedia-DVD-2007_2008_14963206.html
http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor





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                  Ge-Spitzentransistor
Der Transistor hatte den 70 Geburtstag am 2018-12-16
Am 16.12.1947 kam es zu einer bahnbrechenden Erfindung: der Transistor.
Die drei jungen Wissenschaftler Bardeen, Brattain und Shockley aus den USA hatten sich 1945 zusammengetan.
Heraus kam ein Halbleiter aus Germanium, der den Stromfluss beeinflussen konnte.
Das dieses neue elektronische Bauelement eine ernstzunehmende Konkurrenz für die damalige unverzichtbare Elektronenröhre war, konnte noch keiner ahnen.
Dabei hatten die drei Wissenschaftler nichts anderes erreicht, als dass sie den Strom mittels eines elektrischen Signals steuerten.
Der Transistor war geboren.
Mit der Erfindung des Transistors war die Voraussetzung für kleine, billige, stromsparende und wartungsfreundliche Computersysteme gegeben. Es dauerte jedoch noch 10 Jahre bis man erkannte, dass der Transistor eine absolute Neuerung war.
Auf dem Weg zur Serienproduktion kam es zur Entwicklung von Zonen und Sperrschichten mit Fremdatomen in den Halbleitern.
Heute nennt man das Dotierung.
https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor
Ulrich Tietze, Christoph Schenk: Halbleiter-Schaltungstechnik.
12. Auflage. Springer, Berlin 2002,

 prof-gossner.de. 1. Januar 2016,


https://blog.hnf.de/die-geburt-des-transistors/
https://www.all-electronics.de/wp-content/uploads/migrated/article-pdf/83438/ei09-07-22.pdf



               Happy Birthday - Der Transistor wird 70
                70. Geburtsstag des Bipolartransistors
                      70. Geburtstag des Transistor



1947, einen Tag vor Heiligabend, präsentierten drei Forscher des Bell Labs den ersten Transistorverstärker ihren Chefs.
Als eine Art Weihnachtsgeschenk an die Chefs könnte man die interne Präsentation des ersten Transistors, eingebaut in einem Mikrofonverstärker, am 23. Dezember 1947 in den Bell Labs bezeichnen.

Eine Erfindung, die unsere Welt noch heute beeinflusst.
Bereits am 16. Dezember 1947 gelang es drei Wissenschaftlern in den Bell Labs
– John Bardeen, Walter Houser Brattain und William Bradford Shockley
– einen funktionierenden Transistorverstärker zu bauen.
Sie arbeiteten mit Germanium-Spitzendioden und entdeckten, dass sich der Strom durch die Diode mit Elektroden in der Nähe der Kontaktspitze verändern lässt.
Dabei stellten sie auch eine Verstärkung fest. Die Änderung des Diodenstroms entsprach einem Vielfachen des Steuerstroms.
Ihr Funktionsmuster eines Spitzentransistors erreichte am 16. Dezember 1947 eine Leistungsverstärkung von 100.

Dieser Bipolartransistor wurde dann am 23. Dezember 1947 in einem Mikrofonverstärker der Leitung der Bell Telephone Laboratories Inc. vorgeführt.
Es dauerte noch bis zum 22. Juni 1948 bis die Erfindung dem US-amerikanischen Militär und weiteren Technikern bei den Bell Labs präsentiert wurde.

Erst nachdem das Militär die Erfindung nicht als geheim zu haltendes Wissen einstufte, konnte die Arbeit veröffentlicht werden.
Der entsprechende Aufsatz erschien am 25. Juni 1948 in der Zeitschrift Physical Review [1].
Dem Spitzentransistor folgte 1950 der Flächentransistor, der ebenfalls in den Bell Labs erfunden wurde.
Beschrieben wurde er von Shockley zwar schon 1948, aber realisiert wurde er erst nach dem Spitzentransistor.
Für ihre »Untersuchungen über Halbleiter und ihre Entdeckung des Transistoreffekts« wurden die drei Forscher 1956 mit dem Nobelpreis für Physik ausgezeichnet.

Start der Transistorproduktion

1951 startete Western Electric, einer der beiden Anteilseigner der Bell Laboratories, die Serienproduktion von Spitzentransistoren.
Erster Anwender war das Unternehmen Sonotone, das am 29. Dezember 1952 mit dem Modell 1010 ein Hörgerät mit zwei Röhren und einem Transistor in der Ausgangsstufe vorstellte.
Ende 1953 waren dann die Röhren aus den Hörgeräten vollständig verbannt – nicht nur bei Sonotone (Model 1111 mit drei Transistoren) auch bei anderen Herstellern.
Zum Massenprodukt wurde der Transistor aber erst nachdem Texas Instruments zum Verkauf seiner Germanium-Transistoren ein Joint-Venture mit dem Unternehmen Regency einging.Rechtzeitig zum Weihnachtsgeschäft 1954 brachte Regency das erste tragbare Transistorradio auf den Markt.
Der TR-1 mit vier Germanium-Transistoren von TI war ein Überlagerungsempfänger für den Mittelwellenbereich und lief mit einer 22,5-V-Batterie.
Damit begann der Siegeszug der Halbleitertransistoren, der mit der Integration ganzer Schaltungen auf einen Halbleiterkristall sich noch beschleunigte.
Am 12. September 1958 präsentierte Jack Kilby, der im gleichen Jahr erst bei Texas Instruments begonnen hatte, die erste funktionierende Schaltung auf einem Halbleiterkristall (Germanium), ein Flip-Flop.
1960 lieferten die beiden Firmen Fairchild Semiconductor und Texas Instruments bereits erste ICs an die US-Regierung – für die Raumfahrt und für das Militär.

Literatur

[1] Bardeen, J.; Brattain, W. H.: The Transistor. A Semi-Conductor Triode.
Physical Review, 1948, H. 74, S. 230–231.

1960 waren erste ICs als Serienprodukt erhältlich – wenn auch nur für das Militär der USA und die Raumfa
hrt.


https://www.elektroniknet.de/elektronik/halbleiter/der-transistor-wird-70-149034.html
https://www.radiomuseum.org/forumdata/users/5100/file/50_Jahre_Transistor.pdf
~300_a_fritz-x_50 Jahre Transistor 1947-12-23 bis 1997-12-23 (59 Seiten)_1a.pdf
912_d_#73-03s15-x_73xxx-11 25 Jahre Transistor (Darstellung der Entwicklung)_1a.pdf





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305_b_3T-9V_Philips EE2004 6.06 NICHT-ODER-Funktion mit Transistoren 3.Lampe 6V 0,3 W_1a.pdf
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492_b_Tabelle-x_VHS2.3.06 Transistordaten gängiger Transistoren mit Pin-Belegung_1a.pdf
492_b_Tabelle-x_VHS2.3.07 +++ Transistordaten gängiger Transistoren mit Pin-Belegung_1a.pdf
492_b_Tabelle-x_VHS2.3.08 Transistordaten gängiger Transistoren mit Pin-Belegung_1a.pdf
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492_b_Tabelle-x_VHS2.3.10 Transistordaten gängiger Transistoren nach Watt sortiert_1a.pdf
492_b_Tabelle-x_VHS2.3.11 Anschlußbelegung gängiger Dioden und Transistoren mit Gehäuse-Maße_1a.pdf
492_b_Tabelle-x_VHS2.3.12 Anschlußbelegung von TUN-TUP Transistoren mit Gehäuse-Maße_1a.pdf
492_b_Tabelle-x_VHS2.3.14 Techn. Daten von Transistoren BC107..BC640 mit Pin-Belegung_1a.pdf
492_b_Tabelle-x_VHS2.3.15 Techn. Daten von Leistungs-Transistoren BD131..BD652, Pin-Belegung_1a.pdf
492_b_Tabelle-x_VHS2.3.18 Darlington-Transistorschaltung mit 2N3055, BD139, BC546B BC556B_1a.pdf
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492_b_Vordruck-OH_VHS2.3.00 Transistor Grenzschichten, pnp npn und Stromverstärkung_1a.pdf
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492_b_Vordruck-OH_VHS2.3.30 Der Transistor als Schalter, Formeln, Berechnungsbeispiel_1a.pdf
492_b_Vordruck-OH_VHS2.3.33 Transistor als einstufiger Verstärker_1a.pdf
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