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TRANSISTOR

http://sites.prenninger.com/elektronik/home/transistor

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http://www.schaltungen.at/

Wels, am 2015-01-08

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~015_b_PrennIng-a_elektronik-home-transistor (xx Seiten)_1a.pdf

Transistor

Bipolare Transistoren BJT

Bell-Transistor Nr. 9 im Deutschen Museum in München

tauchte erst 2006 in einer Streichholzschachtel wieder auf - Fa. Bell-Laboratorien

SIEMENS hat ab 1953 in München Bipolar-Transistoren aus Ge = Germanium hergestellt

Spannungs- und Stromverteilung am Transistor

Strom und Spannung am NPN-Transistor Strom und Spannung am PNP-Transistor

https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm

Lieferantenübersicht

[Rei] Reichelt: http://www.reichelt.de
[Con] Conrad-Elektronik: http://www.conrad.de
[csd] CSD-Electronics: http://www.csd-electronics.de/
[Kes] Kessler: http://www.kessler-elektronik.de
[Far] Farnell: http://www.farnell.de

http://www.reichelt.at/?ACTION=2;PROVID=2597;GRUPPE=A121;&utm_source=Google-AT&utm_medium=CPC&utm_campaign=AT-fgrun_Halbleiter

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Regency TR-1 Transitorradio

Das Transistorradio - 18. Oktober 1954

Manchmal braucht es erst ein gutes Endprodukt, um den Nutzen eines Bauteils zu demonstrieren.

Die ersten Bipolar-Transistoren, zunächst noch auf Germanium-Basis, wurden bereits 1947 entwickelt.

Seit 1952 besaß Texas Instruments eine Lizenz zur Fertigung solcher Halbleiter.

Doch obwohl das Bauteil preiswert, klein und leichtgewichtig war, fand das junge Unternehmer keine Käufer:

Gerätehersteller setzten weiter Elektronenröhren als Schalt- und Verstärkungselemente ein, die zwar klobig und zerbrechlich waren, aber als zuverlässig galten.

So beschloss die Firma, einen Bedarf zu schaffen:

Am 18. Oktober 1954 kündigte Texas Instruments in Kooperation mit dem Hersteller Regency das Transistorradio TR-1 an.

Der weltweit erste leichte, batteriebetriebene Radioempfänger kostete relativ teure 49,95 US-$, wurde aber sofort zum Verkaufsschlager.

Insgesamt verkaufte sich das TR-1 etwa 140.000-mal.

Der Erfolg führte Herstellern den Nutzen von Transistoren vor Augen - und die Ära der Mikroelektronik konnte beginnen.

Regency TR-1 Transitorradio

Mit dem batteriebetriebenen, tragbaren Radio machten Texas Instruments und das amerikanische Ingenieurbüro I.D.E.A. (Industrial Deve-lopment Engineering Associates) 1954 den Transistor populär. Mit nur einem Drehknopf für die
Senderfrequenz, einem Lautstärkeregler und einem Lautsprecher wirkt das Regency TR-1 heute spartanisch, doch in den 1950er Jahren stellte es eine Meisterleistung der Mikroelektronik für den
kommerziellen Massenmarkt dar.

Das Regency TR-1 war das erste kommerzielle Transistorradio der Welt.

Es wurde von Industrial Development Engineering Associates (IDEA) aus Indianapolis im Auftrag von Texas Instruments hergestellt und war schaltungstechnisch ein Überlagerungsempfänger (Transistorsuper) für den AM-Mittelwellenbereich.

Das Regency TR-1 war mit vier npn Bipolartransistoren aus Germanium sowie einer Ferritstabantenne ausgerüstet, und in vielen Farben wie Grün, Lavendelblau, Perlmutt, Rot oder Weiß erhältlich.

Am 18. Oktober 1954 mit dem Slogan „See it! Hear it! Get it!“ angekündigt, ging das Radio im November 1954 – rechtzeitig zum Weihnachtsgeschäft – in den Verkauf.

Sein Preis betrug 49,95 US-Dollar, inflationsbereinigt entspricht dies heute 446 US-Dollar.

Verkauft wurden etwa 150.000 Geräte.

Das Gerät wurde mit einer 22,5-Volt-Batterie vom Typ IEC 15F20 betrieben und hatte einen hohen Stromverbrauch.

Schaltplan des ersten Transistorradios Regency TR-1

https://de.wikipedia.org/wiki/Regency_TR-1

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Japan-Transistoren

Beginning of Part Number	Type of Transistor
2SAxxxx	high frequency PNP BJTs
2SBxxxx	audio frequency PNP BJTs
2SCxxxx	high frequency NPN BJTs
2SDxxxx	audio frequency NPN BJTs
2SJxxxx	P-channel FETs (both JFETs and MOSFETs)
2SKxxxx	N-channel FETs (both JFETs and MOSFETs)

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Pro-Electron-NORM
http://de.wikipedia.org/wiki/Pro-Electron
http://de.wikipedia.org/wiki/Kennbuchstaben_von_Halbleiterbauelementen

Europäische-Transistoren (Typkennung)

Der 1. Buchstabe des Halbleiter-Ausgangsmaterials
A = Halbleiter auf Germaniumbasis
B = Halbleiter auf Siliziumbasis
C= Gallium Arsenid
D= Indium-Antimonid
R= Fotohalbleiter, Hallgeneratoren

Der 2. Buchstabe beschreibt die Hauptfunktion
A=Diode
B= Kapazitätsdiode (Abstimmdiode)
C= Kleinleistungs-Transistoren für den Tonfrequenzbereich (NF-Anwendung) bis > 15K/W
D= Leistungs-Transistoren für den Tonfrequenzbereich (NF-Anwendung) bis < 15K/W
E= Tunneldiode
F= Hochfrequenz-Transistoren (HF-Anwendung) bis > 15K/W
G=Hybride
H=Hall-Feldsonde
K=Hall-Generator in magnetisch offenem Kreis
L= HF-Leistungs-Transistoren (HF-Anwendung) bis < 15K/W
M=Hall-Generator in magnetisch geschlossenem Kreis
N=Optokoppler
P= Fototransistor, Photo-Halbleiter, Photoelement
Q= Lumineszenzdiode, LED und LASER-Diode
R= Schaltbauteile z.B. Thyristor und Triac
T= Thyristor und Triac (Halbleiter-Steuerbauteile)
S= Schalt-Transistoren, Schalttransistor > 15K/W
U= Schalt-Leistungs-Transistoren (Transistoren für Schaltanwendungen) < 15K/W
V=Antenne
W=Oberflächenwellenbauteile
X=Varaktor-Diode, Step-recovery-Doide
Y=Leistungs-Diode, Booster-Diode, Gleichrichter
Z=Z-Diode (früher Zenerdiode) Spannungsreglerdiode

Buchstabe hinter der letzten Zahl bei Kleinsignaltransistoren
Stromverstärkungsfaktor
A = 100..260-fach, (150..300-fach)
B = 240..500-fach, (250..600-fach)
C = 450..900-fach, (450..900-fach)

Transistor Typen der Reihe

Prefix class	Usage	Example
ACxxx	Germanium small signal transistor	AC126
AFxxx	Germanium RF transistor	AF117
BCxxx	Silicon, small signal transistor ("allround")	BC548B
BDxxx	Silicon, power transistor	BD139
BFxxx	Silicon, RF (high frequency) BJT or FET	BF245
BSxxx	Silicon, switching transistor (BJT or MOSFET)	BS170
BLxxx	Silicon, high frequency, high power (for transmitters)	BLW34
BUxxx	Silicon, high voltage (for CRT horizontal deflection circuits)	BU508

RPY60 RPY100 Fotowiderstand

BPW32..34 BPX61..65 BPX90 Silizium-Fotodiode
SFH217 Silizium-PIN-Fotodiode SIEMENS
BPY11P BPY47P TP60 Fotoelement (Fotozelle)

BPX70 BPX81 SFH309 SFH319 Fototransistor

BJT = Transistor Bipolar

BC546A..BC550C sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-Transistoren im TO-92 Gehäuse

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Standard-Typen von bipolare Transistoren

Grundschaltungen des Transistors

Übersicht: Transistor

Weitere verwandte Themen:

https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm

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               TRANSISTOR-LAGER-Liste WELS
npn-Typen pnp-Typen
AC151r           AC128
AC187K           AC188K
BC107            BC177
BC546B            BC556B
BC547B            BC557B
BC237B            BC557B
BC140       BC160
BC141-10    BC161-10
BC337 BC327
BC639 BC640
AD162
BD137             BD138
BD139             BD140
BD237             BD238
BD241A            BD242A
BD243            BD244
BD522            BD512
BD645       BD646
BD677       BD678
2N2219A    2N2905A
2N3054
2N3055T           2N2955T (MJE2955, MJ2955, PH2955T) Leistungs-Tr.
TIP3055           TIP2955
Darlington BC517B BC516B
Darlington BD675 BD676
Darlington BD677 BD678
Darlington BD679 BD680
Darlington BD697
Darlington BC875 2N2219A BC876 2N2905A
Darlington TIP141 TIP146
                          AF125
HF-Transistor BF194 BFY90 2N3866
Hochspannungs-Tr. BUX85
Schalt-Tr. BU111
J-FET   BF245B      BF246C 2N3820
J-FET   BF254
MOS-FET BS170     BS250
MOS-FET BD522 BS512
IG-FET VN66AF BF981 BFR84
UJT 2N2646
BUZ10A BUZ11    IRF9530
BUK438-800A BUZ24

UJT = Unijunktion-Transistor 2N2646 TO-18,
Fototransistor BPW39
1N4148, 1N4007, 1N5404 = BY255,
BAT43, BAT46, BAT49,
Z-Diode BZX85C5V6,

78S05 (2,5A), LM7824CT (1A) Low-drop LM2940CT,

AA143 OA81 AA113
Tunnel (Esaki) 1N3716
Schalter BA244
DIAC BR100/03 BR100-3
Klein-Thyristoren BRX45 BRX49
P-Gate-Thyristor TIC106M (3,2A), TIC116M (5,0A), TIC126M (7,5A), TO-220
P-Gate-Thyristor TIC206M (4,0A), TIC216M (6,0A), TIC226M (8,0A), TIC246M (16A), BTA04-600 BT139-600 (15A), TO-220AB

Spannungsregler 7805 78L05 7905 LM337 LM317 LM350   L200

in EAGLE 3.55 1998.08.31
Transistorgehäuse (Package) in eagle35\sch\AF_GEAKT.txt (Library AF_GEAKT.brd)

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                         Transistoren — Austauschtypen
                                 Äquivalenztypen — Transistoren
Gehäuse TO-18 (SOT-23) und TO-92 Gehäuse TO-92
Stromverstärkung A B C           Stromverstärkung A B C
ältere Typen               äquivalenter Typ
BC107 BC171 BC182 BC237          BC 547
BC108 BC170 BC172 BC183 BC238    BC 548
BC109 BC173 BC239                BC 549
BC177 BC212 BC251 BC307          BC 557
BC213 BC250 BC252 BC308          BC 558
BC184 BC413 BC414                BC 550
BC174                            BC 546
BC253 BC309                      BC 559
BC256                            BC 556
BC253 BC309                      BC 559
BC214 BC415 BC416      BC 560

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http://de.wikipedia.org/wiki/JEDEC_Solid_State_Technology_Association

                                    Amerikanische-Transistoren
(1Nxxxx sind Dioden, Halbleitergleichrichter)
2Nxxxx
3Nxxxx sehr oft FETs

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Alle Transistor- und Halbleiter-Gehäuse mit Pin-Nr (1-2-3) und Bemaßung in mm.
307_a_fritz-x_Transistorgehäuse TO-3 TO-8 TO-5 TO-9 TO-12 TO-18 TO-41 TO-33 TO-39 TO-52 TO-50 TO-46_1a.pdf
307_a_fritz-x_Transistorgehäuse TO-61 TO-66 TO-63 TO-68 TO-71 TO-72 TO-80 TO-77 TO-89 TO-92 TO-93 TO-99_1a.pdf
usw.

a
http://de.wikipedia.org/wiki/Liste_von_Halbleitergehäusen
http://lexikon.freenet.de/Liste_von_Halbleitergehäusen
a

in www.schaltungen.at

FC0070 Transistor-Gehäuse u. Anschlüsse, TO-5, TO-18, TO-66, TO-92, TO-3

Transistor Gehäuse-Bauformen, Gehäuseformen,

Transistorgehäuse, transistor package

Halbleitergehäusen, Transistor-Gehäuse, Gehäusearten, Transistor-Gehäusebezeichnung, Transistor-Gehäuseformen:
TO-1, TO-3 = TO-204 (2N3055), TO-5, TO-18 (SOT-23, BC107), TO-39 (BC141), TO-66 (BD239), TO=71 (6-pol),
TO=72 (4-pol), TO=77 (8-pol), TO-92 TO-92e=flach oder SOT-54 (BC547, BC171, BC257, BC639),
TO-125 (BD140), TO-126 (SOT-32) BD137, TO-202, TO-218 (TIP2955), TO-220 = TO-66 (BD243),
TO-247=TO-3P=SOT-93, TO-3 (2N3055), TO-5, TO-226, TO-247, TOP-3, TO-3P,
SOT-9 (AD148), SOT-23, SOT-37, SOT143 Miniaturgehäuse, SOT-223, SOT-143,
Chipgehäuse: DIL-8, DIL-14, DIL-16, DIL-18, DIL-40, SM-8

http://www.ds-electronics.de/index.php?option=com_content&task=view&id=138

Von den Bauformen her lassen sich Transistorgehäuse in zwei Hauptgruppen gliedern:
Diode Outline (DO) für Dioden und Transistor Outline (TO) für Transistoren.
Diese beiden Bauformen gibt es in Small-Outline-Versionen als Small Outline Diode (SOD), Small Outline Transistor (SOT) und für SOICs als Small Outline (SO).
Sie unterscheiden sich durch den produktionstechnischen Einsatz auf den Leiterplatten.
Die TO-Bauform ist für die Durchstecktechnik, während die SOT-Bauformen für die SMT-Technik entwickelt wurden.

Transistor-Rundgehäuse, TO-Bauform

lexikon, kompendium, computer, it, elektronik

Transistorgehäuse in TO-Bauform können ein Rundgehäuse haben;
es gibt sie aber auch im Flachgehäuse (TO-220 und TO-254) für die direkte Montage auf das Chassis oder die Leiterplatte;
das TO-Gehäuse kann darüber hinaus aus Metall oder Plastik bestehen.
Die einzelnen Varianten hängen von der Anwendung und der Transistorleistung ab.
So gibt es in der TO-Bauform Kleinsignaltransistoren (TO-18), Transistoren für niedrige Leistungen bis 1 W (TO-5 und TO-39),
für mittlere Leistungen (TO-66) und hohe Leistungen (TO-3 und TO-254).

Beispiele für Transistorgehäuse: DO-, TO- und SOT-Bauform

Neben der Transistorleistung hängt die Größe der TO-Bauform von der Anzahl der Anschlussdrähte ab.
Da sich in einem Transistorgehäuse auch zwei Transistoren oder eine Transistorschaltung befinden können,
gibt es Rundgehäuse mit 6 Pins (TO-78) oder mit 10 Pins (TO-100).
Die SOT-Bauform wird den steigenden Anforderungen an kleinste Abmessungen gerecht.
Bauteile in SOT-Bauformen haben Abmessungen im niedrigen einstelligen Millimeterbereich.
So hat beispielsweise der SOT-23 Abmessungen von 1,3 mm und 3,0 mm, bei einer Dicke von 1,0 mm.
Kleinste SOT-Gehäuse sind nur 0,8 mm breit und 1,6 mm lang.

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TO-92

Dies ist die wohl typischste Bauform eines Transistors.
Es eignet sich für kleine Leistungen bis etwa einem halben Watt, was auf den hohen Wärmewiderstand des Gehäuses zurückzuführen ist.

TO-220

Transistoren in TO-220 Bauform eignen sich für Verlustleistungen von mehreren Watt, was aber stark vom verwendeten Kühlkörper abhängig ist.

SOT-23

Die SOT-23 Bauform wird häufig für kleine Leistungen in mit SMD Technik realisierten Schaltungen verwendet.
Ähnlich wie beim TO-92 Gehäuse ist hier keine Wärmeabfuhr über Kühlkörper vorgesehen.

SOT-223

Für in SMD gefertigte Schaltungen eignen sich Transistoren im SOT-223 Gehäuse für größere Leistungen.
Ein zusätzlicher Anschluss ermöglich das Auflöten auf größere Metallflächen auf der Leiterplatte, die dann als Kühlkörper dienen.

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Gehäuse-Bauformen

Diskrete Bipolartransistoren werden abhängig vom Einsatzzweck in unterschiedlichen Gehäusen untergebracht.

Die gängigsten Gehäuseformen sind:

Bedrahtete Gehäuse (Durchsteckmontage, kurz THT von engl. through hole technology):
- TO-92 (Plastikgehäuse 5 × 5,2 mm²)
- TO-18 und TO-39 (becherförmige Metallgehäuse, vergossen; veraltet)
- TO-220 (Plastikgeh. mit Lasche zur Kühlkörper-Montage, 9,9 × 15,6 mm²)
- TO-218 (15 × 20,3 mm²; Plaste mit Metall-Kühlfläche)
- TO-247 (Plastikgeh. mit Metallfläche zur Kühlkörper-Montage)
- TO-3 (Metallgehäuse zur Kühlkörper-Montage; veraltet)
- TO-3P (ähnlich TO-218; mit Metallfläche zur Kühlkörper-Montage)

Gehäuse für Oberflächenmontage (SMD von engl. surface mounted device); Wärmeableitung über Lötverbindungen zur Leiterplatte:
- SOT-23 (1,3 × 2,9 mm²)
- SOT-89 (2,6 × 4,5 mm²)
- SOT-223 (3,5 × 6,5 mm²)
- D-PAK, D2-PAK (höhere Verlustleistungen)

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PrennIng. Transistor-Typen-Tabelle

305_c_Tabelle-x_1500 Transistor Daten 2SA 2SB 2SC 2SC 2SD 2SK 3S (Japan-Transistoren)_4a.xls
305_c_Tabelle-x_2000 Transistor Daten 2N AC AD AF BC BD BF BU IRF TIP (Amerikanische, Europäische)_4a.xls
( Europäische Transistoren in *.xls-File nach Leistung sortiert ! ! ! )

Untergeordnete Seiten (7):

1..500 von 2N109 bis 2SB1050
501..1000 von 2SB1055 bis 2SC3112
1001..1500 von 2SC3116 bis 2SD1765
1501..2000 von 2SD1769 bis AC212 bis BC140-16
2001..2500 von BC141 bis BD648
2501..3000 von BD649 bis BFY90 bis BU508DF
3001..3500 von BU508DR bis ZTX753

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http://www.elektronik-kompendium.de/service/trsvgldb.php

EL-KO Transistor-Vergleichstypen / Vergleichstabelle

Die Transistor-Vergleichsdatenbank enthält alle Vergleichstypen eines Transistors und zeigt diese auf Anfrage an.
Bitte keine Sonderzeichen, Leerzeichen, Bindestriche oder Wildcards eingeben.

Die Eingabe der Bauteil-Bezeichnung muss nicht komplett sein!

Transistor:

Willst Du die Transistor-Vergleichstypen / Vergleichstabelle auf Deiner eigenen Webseite einbauen? So funktioniert es!

Weitere verwandte Themen:

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http://www.elektronik-kompendium.de/service/trsdb.php

EL-KO Transistor-Datenblatt

Die wichtigsten Grenzwerte der 3000 wichtigsten Transistoren

Geben Sie in das Textfeld die Transistor-Bezeichnung ein.

Es wird Ihnen der Transistor-Typ, die Grenzwerte zu Spannungsfestigkeit, Strombelastbarkeit und Leistungsaufnahme ausgegeben.

Bitte keine Sonderzeichen, Leerzeichen, Bindestriche oder Wildcards eingeben.
Die Eingabe der Bauteil-Bezeichnung muss komplett sein!

Transistor-Bezeichnung:

Weitere verwandte Themen:

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http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/index.htm

Elektronische Bauelemente

Lineare und nichtlineare Widerstände

Kapazitive und induktive Bauelemente

Halbleiter

Transistoren

Integrierte Schaltungen

Integrierte Schaltungen (IC)
SMD - Surface Mounted Devices
Integrierte Festspannungsregler (78xx/79xx)
Integrierte fixe und einstellbare 3-pin-Spannungsregler von Thomas Schaerer
Spannungsregler Spezial: Das 78xx-, LM317- und Lowdropout-Prinzip von Thomas Schaerer
Timer NE 555/556
555-CMOS-Timer von Thomas Schaerer
Operationsverstärker
Operationsverstärker - Teil 1 von Thomas Schaerer
Operationsverstärker - Teil 2 von Thomas Schaerer
OTA von Thomas Schaerer
Schmitt-Trigger
Vom Operationsverstaerker bis zum Schmitt-Trigger kontinuierlich einstellbar von Thomas Schaerer

Sonstige Bauelemente

Praxis

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Transistor-Übersicht

Im Forum wird immer wieder gefragt, welcher Transistor für eine bestimmte Anwendung passend ist, dafür wurde dieser Wikieintrag angelegt.
Wie in der Mosfet-Übersicht und der Dioden-Übersicht soll hier eine Liste entstehen mit gängigen Bipolar-Transistoren, die leicht erhältlich sind.
Für die Typbezeichnung siehe Kennzeichnung von Halbleitern.
Eine allgemeine Übersicht über verschiedene Bauteile gibt es hier: Standardbauelemente.

Inhaltsverzeichnis

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NPN

Bemerkungen:

U_CE = Maximale Kollektor-Emitter-Spannung bei I_C = 0
I_C = Maximaler Kollektorstrom
SOT-32 = TO-126

(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)

Bezeichnung	Package	UCE/V	IC/A	β (Beta)	β@IC	VCEsat	Ptot/W	fG/MHz	Bemerkung	Lieferant	Datenblatt	ca. Preis/€
PN2222	TO-92	30	0,8	100-300		1	0.6	300	Allrounder	Rei	National	0.06
2N3904	TO-92	60	0.2	100-300			0.5	300	Schalttransistor	Rei	Fairchild	0.04
2N3055	TO-3	60	15	20-70			115	2.5	Leistungstransistor	Rei	alldatasheet.com	0.40
BC107B	TO-18	45	0.1	200-450			0.3	300		Rei	alldatasheet.com	0.23
BC547B	TO-92	45	0.1	125-500		0.9	0.625	300	Schalttransistor	Rei	Fairchild	0.04
BD679A	TO-126	80	4	750			40		Darlington	Rei	alldatasheet.com	0.21
MPSA42	TO-92	300	0.5	40			0.625	50	hohe Spannung	Rei	Fairchild	0.05
BC337	TO-92	45	0.8	100-630	100	0.7	0.625	210		Rei	Fairchild	0.05
BC368	TO-92	20	1.5	100-450			0.625	40		Rei	Fairchild	0.08
FMMT617	SOT-23	15	3	60-300	300	0.15	0.625		Schalttransistor	Rei	Zetex	0.27
FMMT619	SOT-23	50	2	40-400	200	0.2	0.625		Schalttransistor	Rei	Zetex	0.32
FMMT625	SOT-23	150	1	15-400	45	0.2	0.625		Schalttransistor	Rei	Zetex	0.32
MJ15003	TO-3	140	20	25-150			250	2	Leistungstransistor	Rei Far	alldatasheet.com	1.55
BD131	TO-126	45	3	30-70			15	60	Mittlere Leistung, guter Allrounder	Rei ?	Fairchild	0.21
BC517	TO-92	30	0.5	30000		1	0.6	200	Darlington	Rei	NXP	0.08
BCW66	SOT-23	45	0.8	100-630		0.9	0.36	170		Rei	Zetex	0.041
BFR92	SOT-23	15	0.3	50			0.2	5000	Hochfrequenz	Rei ...		0.16
BUX85	TO-220	450	2	>35			40	12		Rei Con	bourns.com	0.48
TIP41C	TO-220	100	6	15	3000	1.5	65	3		csd Rei Con		0.24
BSR14	SOT-23	40	0.8	100	0.15	1	0.35	300		Rei	NXP	0.08
BF199	TO-92	25	0.05		38	0.2	0.35	700	alter HF-Transistor	Rei Con Far ...	NXP	0.35

PNP

(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)

Bezeichnung	Package	UCE/V	IC/A	β (Beta)	Ptot/W	fG/MHz	Bemerkung	Lieferant	Datenblatt	ca. Preis/€
2N3906	TO-92	40	0.2	100-300	0.5	250		Rei	alldatasheet.com	0.05
BC560	TO-92	45	0,1	110-800	0.5	150		Rei	alldatasheet.com	0.04
BC327	TO-92	45	0.8	100-630	0.625		Komplement zu BC337	Rei	alldatasheet.com	0.04
BC369	TO-92	20	1.5	100-400	0.625		Komplement zu BC368	Rei	alldatasheet.com	0.08
FMMT717	SOT-23	12	2.5	50-300	0.625		Komplement zu FMMT617	Rei	Zetex	0.19
BD438	TO-126	45	4	30-140	36	3		Rei	alldatasheet.com	0.17
MJ2955	TO-3	60	15	20-70	115	2.5	2N3055 Komplement	Rei	alldatasheet.com	0.40
BD132	TO-126	45	3	30-120	15	60	Komplement zu BD131	Rei,?	alldatasheet.com	0.20
BC516	TO-92	30	0.5	30000	0.5	220	Komplement zum BC517	Rei	alldatasheet.com	0.12
BCP53	SOT-223	80	1		1.3	115		Rei	datasheetcatalog.com	0.17
BDP950	SOT-223	60	3		3	100		Rei	datasheetcatalog.com	0.29
BCW67	SOT-23	42	0.8	100-630	0.32	200		Rei	alldatasheet.com	0.041
MJ2955	TO-3	60	15	20-70	115		Komplement zu 2N3055, Leistungstransistor	Rei	datasheetcatalog	0.70
BSR15	SOT-23	40	0.8	100	0.25	200	Schalttransistor	Rei	NXP	0.09

Transistor-Array

(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)

Bezeichnung	Package	UCE/V	IC/A	β (Beta)	Ptot/W	fT/MHz	Bemerkung	Lieferant	Datenblatt	ca. Preis/€
NTE912	DIL-14	-	-	-	-	-	5 NPN-Transistoren	Far	NTE	3.50
CA3086	DIL-14	-	-	-	-	-	5 NPN-Transistoren, abgekündigt	eBay	Intersil	0.50
BCV61	SOT-143	30	0.1	100-800	0.25	100	2 NPN-Transistoren für Stromspiegel	Rei, Far	alldatasheet.com	0.14
BCV62	SOT-143	30	0.1	100-800	0.25	100	2 PNP-Transistoren für Stromspiegel	Rei, Far	alldatasheet.com	0.19
ULN2801 ULN2802 ULN2803 ULN2804	DIL-18 SO-18	50	0.35		1	kHz	8x Low-Side NPN-Darlington, Freilaufdiode, max 500mA insgesamt	Rei, Far, alle	alldatasheet.com	0.35 - 0,50
UDN2981	DIL-18 SO-18	50	0.35		1	kHz	8x High-Side NPN-Darlington, Freilaufdiode, max 500mA insgesamt	Rei, Far	Allegro	1.75

Vollbrücke, Halbbrücke

(Tabelle mit Klick auf Überschrift sortierbar)

Bezeichnung	Package	UCE/V	IC/A	β (Beta)	Ptot/W	fT/MHz	Bemerkung	Lieferant	Datenblatt	ca. Preis/€
ZDT 6790 TA	SM-8	-	-	-	-	-	Halbbrücke 1x NPN, 1x PNP	Rei	Datasheetarchive.com	0,74 €
ZHB6792	SM-8	-	-	-	-	-	H-brücke 2x NPN, 2x PNP	Rei	Diodes.com	1,70 €

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Transistor

http://www.enzyklo.de/Begriff/Transistor
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm

1. Einführung

Transistor,
Name für eine Gruppe von elektronischen Bauteilen, die als Verstärker oder Oszillator in der Kommunikationstechnik, Steuerung und in Computersystemen (Elektronik) eingesetzt werden können.
Bis zum Jahr 1948 waren Entwicklungen im Elektronikbereich abhängig vom Einsatz thermionischer Vakuumröhren, magnetischen Verstärkern, Spezialrotationsmaschinen sowie besonderen Kondensatoren, die als Verstärker dienten.
Beim Transistor handelt es sich um ein elektronisches Bauteil, das viele Funktionen der Vakuumröhre in elektrischen Schaltkreisen übernehmen kann.
Im Prinzip ist ein Transistor aus einem kleinen Kristall eines Halbleiters (meistens Germanium oder Silicium bzw. Galliumarsenid) aufgebaut, an dem mindestens drei elektrische Anschlüsse angebracht sind.
Die Grundkomponenten des Transistors, Basis, Emitter und Kollektor, sind mit denen der Triode (Dreielektrodenröhre) vergleichbar.

Die Basis ist die Steuerelektrode des Transistors und entspricht dem Steuergitter der Triode.
Der Emitter entspricht der erhitzbaren Kathode einer Triode und dient ebenfalls als Elektronenquelle.
Der Kollektor ist die Anode.

Der Transistor wurde bei Bell Laboratories von den amerikanischen Physikern Walter Hauser Brattain, John Bardeen und William Bradford Shockley entwickelt.
Für die Entdeckung des Transistoreffekts und Untersuchungen an Halbleitern hielten die drei 1956 den Nobellpreis für Physik.
Shockley war der Initiator und Direktor des Forschungsprogramms über Halbleitermaterialien, das dann letztendlich zur Entdeckung dieser Gruppe von Bauteilen führte.
Seine Mitarbeiter Brattain und Bardeen erfanden einen wichtigen Typ des Transistors.

2. Aufbau der Halbleiter

Der innere Aufbau eines Halbleiters verleiht ihm seine elektrischen Eigenschaften.
In einem Germanium- oder Siliciumkristall sind die Atome in einer periodischen Anordnung gebunden, die ein vollständig regelmäßiges Diamantgitter bilden.
Jedes Atom des Kristalls hat vier Valenzelektronen, von denen jedes mit dem Elektron eines Nachbaratoms eine Bindung eingeht.
Weil die Elektronen nicht frei beweglich sind, verhält sich das reine kristalline Material bei niedrigen Temperaturen wie ein Isolator.

3. Funktion von Verunreinigungen (Dotierung)

Germanium- oder Siliciumkristalle, die kleine Mengen von Verunreinigungen enthalten, können auch bei niedrigen Temperaturen elektrischen Strom leiten.
Die technisch gezielte Verunreinigung von Halbleiterkristallen nennt man Dotierung.

Die elektrische Leitfähigkeit des dotierten Halbleiters kann auf zwei Arten erfolgen:
1) Ein Verunreinigungselement wie z.B. Phosphor, Antimon oder Arsen wird als Donator-Verunreinigung bezeichnet, weil es überschüssige Elektronen bereitstellt.
Diese Gruppe von Elementen besitzt fünf Valenzelektronen, von denen nur vier eine Bindung mit den Germanium- oder Siliciumatomen bilden.
Wenn also ein elektrisches Feld angelegt wird, sind die übrigen Elektronen der Donator-Verunreinigungen im Prinzip in der Lage, sich frei durch das kristalline Material zu bewegen.
Die resultierenden Halbleiter nennt man auch n-Leiter (n = negativ).
2) Im Gegensatz dazu haben Verunreinigungselemente wie beispielsweise Gallium oder Indium nur drei Valenzelektronen, so dass ihnen eines fehlt, um die zwischenatomare Verbindungsstruktur innerhalb des Kristalls zu vervollständigen.
Diese Verunreinigungen werden als Akzeptor-Verunreinigungen bezeichnet, weil diese Elemente Elektronen von den Nachbaratomen akzeptieren, um ihren Mangel in der Valenzbindungstruktur auszugleichen.
Die entstehenden Elektronenlücken, die so genannten Löcher, in der Struktur der Nachbaratome werden im Gegenzug durch andere Elektronen aufgefüllt usw.
Diese Löcher oder Störstellen verhalten sich wie positive Ladungen, sie scheinen sich bei angelegter Spannung entgegengesetzt zu den Elektronen zu bewegen.
In diesem Falle bezeichnet man die resultierenden Halbleiter auch als p-Leiter (p = positiv).

4. n-Halbleiter und p-Halbleiter

Ein einzelner Kristall, der sowohl n- als auch p-Bereiche enthält, kann durch das Einführen von sowohl Donator- als auch Akzeptor-Verunreinigungen in geschmolzenes Germanium oder Silicium in einem Schmelztiegel bei unterschiedlichen Stadien der Kristallbildung erzeugt werden.
Der entstandene Kristall hat zwei unterschiedliche n- und p-Bereiche.
Die Verbindungsschicht zwischen den beiden Bereichen wird als n-p-Trennschicht bezeichnet.
Diese Trennschicht kann auch durch das Anbringen eines Donator-Materials an der Oberfläche eines p-Kristalls oder das Anbringen eines Akzeptors an einem n-Kristall und einer anschließenden Erhitzung zur Verteilung der Verunreinigungsatome in der Außenschicht erzeugt werden.
Wenn eine externe Spannung angelegt wird, verhält sich die n-p-Trennschicht wie ein Gleichrichter, der Stromfluss nur in einer Richtung durchlässt (siehe Gleichrichtung).
Wenn der p-Bereich z.B. mit dem Pluspol einer Batterie und der n-Bereich mit dem Minuspol (GND) verbunden ist, fließt ein großer Strom in dem Material durch die Trennschicht.
Wenn die Spannung (Batterie) umgekehrt angeschlossen wird, fließt kein Strom.

5. Arbeitsweise des Transistors

Im Transistor kann eine Kombination aus zwei Trennschichten als Verstärker eingesetzt werden.
Der so genannte n-p-n-Transistor enthält eine sehr dünne p-Schicht zwischen zwei n-Bereichen, die in einem Schaltkreis angeordnet sind, wie in Abbildung npn-Transistor in einer Verstärkerschaltung verdeutlicht wird.
Das n-Material links auf dem Diagramm stellt das Emitterelement des Transistors dar, also die Elektronenquelle.
Um einen Elektronenfluss durch die n-p-Trennschicht zu ermöglichen, weist der Emitter eine kleine negative Spannung gegenüber der p-Schicht (Basis) auf.
Die Basis steuert den Elektronenfluss.
Das n-Material in der Schaltung am Ausgang dient als Kollektorelement.
Der Kollektor weist gegenüber der Basis eine hohe positive Spannung auf.
Dadurch wird ein Stromfluss in die Gegenrichtung verhindert.
Elektronen, die sich vom Emitter zur Basis bewegen, werden vom positiv geladenen Kollektor angezogen und fließen durch den Ausgangsschaltkreis.
Die Eingangsimpedanz, der Widerstand gegen den Stromfluss, zwischen Emitter und Basis ist niedrig, während die Ausgangsimpedanz zwischen Kollektor und Basis hoch ist.
So verursachen kleine Veränderungen in der Basisspannung große Veränderungen im Spannungsabfall über dem Kollektorwiderstand und machen den Transistor zu einem effektiven Verstärker.

Eine ähnliche Funktionsweise wie der n-p-n-Transistor zeigt auch der p-n-p-Transistor, der ebenfalls zwei Trennschichten besitzt und der Triode gleicht.
Andere Transistortypen mit drei Trennschichten, wie der n-p-n-p-Transistor, weisen höhere Verstärkungen auf als Zwei-Trennschicht-Transistoren.

6. Weitere Entwicklungen

Ab ca. 1969 wurde der Transistor in komplexen elektronischen Anlagen zunehmend durch integrierte Schaltkreise ersetzt.
Obwohl ein integrierter Schaltkreis etwa die gleichen Ausmaße wie ein Transistor aufweist, kann er die Funktion von 15 bis 20 Transistoren wahrnehmen.
Eine natürliche Weiterentwicklung des integrierten Schaltkreises in den siebziger Jahren war die Herstellung von mittel-, hoch- und sehr-hoch-integrierten Schaltungen (MSI, LSI und VLSI), die die Fertigung kompakter Computer ermöglichten.
Die in der Mitte der siebziger Jahre aufkommende Mikroprozessor ist eine Verfeinerung der Hochintegration (LSI: Large-Scale Integration).
Als ein Ergebnis der Miniaturisierung erfüllt ein Mikroprozessor die Funktionen einer Vielzahl von Platinen und bietet die Leistungsfähigkeit der zentralen Verarbeitungseinheit von sehr viel größeren Computern in einem kleinen tragbaren, batteriegespeisten Mikrocomputer.
1995 gelang einem Forscherteam der Bell-Laboratories in den USA die Herstellung eines Transistors auf der Basis von Fullerenen, einer Kohlenstoffmodifikation (in diesem Falle C60).
Weil diese aus reinem Kohlenstoff bestehende Substanz jedoch nicht stabil an der Lpft ist, bleiben Transistoren und integrierte Schaltkreise auf Fullerenbasis voerst Gegenstand der Forschung.

QUELLE:

Microsoft Encarta 2004

Enzyklopädie Professional 2004.

1993-2003 Microsoft Corporation.

http://www.chip.de/downloads/Wikipedia-DVD-2007_2008_14963206.html
http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor

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                  Ge-Spitzentransistor
Der Transistor hatte den 70 Geburtstag am 2018-12-16

Am 16.12.1947 kam es zu einer bahnbrechenden Erfindung: der Transistor. 
Die drei jungen Wissenschaftler Bardeen, Brattain und Shockley aus den USA hatten sich 1945 zusammengetan. 
Heraus kam ein Halbleiter aus Germanium, der den Stromfluss beeinflussen konnte. 
Das dieses neue elektronische Bauelement eine ernstzunehmende Konkurrenz für die damalige unverzichtbare Elektronenröhre war, konnte noch keiner ahnen. 
Dabei hatten die drei Wissenschaftler nichts anderes erreicht, als dass sie den Strom mittels eines elektrischen Signals steuerten. 
Der Transistor war geboren. 
Mit der Erfindung des Transistors war die Voraussetzung für kleine, billige, stromsparende und wartungsfreundliche Computersysteme gegeben.

Es dauerte jedoch noch 10 Jahre bis man erkannte, dass der Transistor eine absolute Neuerung war. 
Auf dem Weg zur Serienproduktion kam es zur Entwicklung von Zonen und Sperrschichten mit Fremdatomen in den Halbleitern. 
Heute nennt man das Dotierung.

https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor

Ulrich Tietze, Christoph Schenk: Halbleiter-Schaltungstechnik.

12. Auflage. Springer, Berlin 2002,

ISBN 978-3-540-42849-7.

Stefan Goßner: Grundlagen der Elektronik.

prof-gossner.de. 1. Januar 2016,

https://blog.hnf.de/die-geburt-des-transistors/

https://www.all-electronics.de/wp-content/uploads/migrated/article-pdf/83438/ei09-07-22.pdf

               Happy Birthday - Der Transistor wird 70
                70. Geburtsstag des Bipolartransistors
                      70. Geburtstag des Transistor

1947, einen Tag vor Heiligabend, präsentierten drei Forscher des Bell Labs den ersten Transistorverstärker ihren Chefs.
Als eine Art Weihnachtsgeschenk an die Chefs könnte man die interne Präsentation des ersten Transistors, eingebaut in einem Mikrofonverstärker, am 23. Dezember 1947 in den Bell Labs bezeichnen.

Eine Erfindung, die unsere Welt noch heute beeinflusst.
Bereits am 16. Dezember 1947 gelang es drei Wissenschaftlern in den Bell Labs
– John Bardeen, Walter Houser Brattain und William Bradford Shockley
– einen funktionierenden Transistorverstärker zu bauen.
Sie arbeiteten mit Germanium-Spitzendioden und entdeckten, dass sich der Strom durch die Diode mit Elektroden in der Nähe der Kontaktspitze verändern lässt.
Dabei stellten sie auch eine Verstärkung fest. Die Änderung des Diodenstroms entsprach einem Vielfachen des Steuerstroms.
Ihr Funktionsmuster eines Spitzentransistors erreichte am 16. Dezember 1947 eine Leistungsverstärkung von 100.

Dieser Bipolartransistor wurde dann am 23. Dezember 1947 in einem Mikrofonverstärker der Leitung der Bell Telephone Laboratories Inc. vorgeführt.
Es dauerte noch bis zum 22. Juni 1948 bis die Erfindung dem US-amerikanischen Militär und weiteren Technikern bei den Bell Labs präsentiert wurde.

Erst nachdem das Militär die Erfindung nicht als geheim zu haltendes Wissen einstufte, konnte die Arbeit veröffentlicht werden.
Der entsprechende Aufsatz erschien am 25. Juni 1948 in der Zeitschrift Physical Review [1].
Dem Spitzentransistor folgte 1950 der Flächentransistor, der ebenfalls in den Bell Labs erfunden wurde.

Beschrieben wurde er von Shockley zwar schon 1948, aber realisiert wurde er erst nach dem Spitzentransistor.

Für ihre »Untersuchungen über Halbleiter und ihre Entdeckung des Transistoreffekts« wurden die drei Forscher 1956 mit dem Nobelpreis für Physik ausgezeichnet.

Start der Transistorproduktion

1951 startete Western Electric, einer der beiden Anteilseigner der Bell Laboratories, die Serienproduktion von Spitzentransistoren.
Erster Anwender war das Unternehmen Sonotone, das am 29. Dezember 1952 mit dem Modell 1010 ein Hörgerät mit zwei Röhren und einem Transistor in der Ausgangsstufe vorstellte.
Ende 1953 waren dann die Röhren aus den Hörgeräten vollständig verbannt – nicht nur bei Sonotone (Model 1111 mit drei Transistoren) auch bei anderen Herstellern.
Zum Massenprodukt wurde der Transistor aber erst nachdem Texas Instruments zum Verkauf seiner Germanium-Transistoren ein Joint-Venture mit dem Unternehmen Regency einging.Rechtzeitig zum Weihnachtsgeschäft 1954 brachte Regency das erste tragbare Transistorradio auf den Markt.
Der TR-1 mit vier Germanium-Transistoren von TI war ein Überlagerungsempfänger für den Mittelwellenbereich und lief mit einer 22,5-V-Batterie.
Damit begann der Siegeszug der Halbleitertransistoren, der mit der Integration ganzer Schaltungen auf einen Halbleiterkristall sich noch beschleunigte.
Am 12. September 1958 präsentierte Jack Kilby, der im gleichen Jahr erst bei Texas Instruments begonnen hatte, die erste funktionierende Schaltung auf einem Halbleiterkristall (Germanium), ein Flip-Flop.
1960 lieferten die beiden Firmen Fairchild Semiconductor und Texas Instruments bereits erste ICs an die US-Regierung – für die Raumfahrt und für das Militär.

Literatur

[1] Bardeen, J.; Brattain, W. H.: The Transistor. A Semi-Conductor Triode.
Physical Review, 1948, H. 74, S. 230–231.

1960 waren erste ICs als Serienprodukt erhältlich – wenn auch nur für das Militär der USA und die Raumfahrt.

https://www.elektroniknet.de/elektronik/halbleiter/der-transistor-wird-70-149034.html
https://www.radiomuseum.org/forumdata/users/5100/file/50_Jahre_Transistor.pdf
~300_a_fritz-x_50 Jahre Transistor 1947-12-23 bis 1997-12-23 (59 Seiten)_1a.pdf
912_d_#73-03s15-x_73xxx-11 25 Jahre Transistor (Darstellung der Entwicklung)_1a.pdf

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