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Bauelemente

                                                                               NEU Wels, am 2010-01-22

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Liste Elektronik Aufstellung aller Elektronischen Bauelemente 2010-Jänner_1b.doc

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1. PASSIVE LINEARE BAUELEMENTE

  • 1.Widerstände

    Grundbegriffe

  • Bauformen und Eigenschaften von Widerständen

  • Daten von Schichtwiderständen

  • Normwerte

  • 2.Kondensatoren

  • Einsatzarten von Kondensatoren

  • Bauformen von Kondensatoren

  •                        MP-Gleichspannungskondensatoren

  •                        Metallisierte Kunststoff-Kondensatoren

  •                        STYROFLEX- und Polypropylen-Kondensatoren

  •                        Keramik-Kondensatoren

  •                        Elektrolyt-Kondensatoren

  •                        Kondensatoren für die Energie- bzw. Leistungselektronik

  •                        Doppellagenkondensator ("Gold Cap")


  • 3.Induktivitäten

  • Grundlagen

  • Aufbau

  •                        Luftspulen

  •                        Spulen mit magnetischem Kern

  • Verlustfaktor und Ersatzschaltbild

  • Magnetische Werkstoffe für Spulen und Übertrager

  • Blechkerne

  • Ferrit-Werkstoffe

  • Hinweise zur Dimensionierung einer Spule


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2. HALBLEITERBAUELEMENTE

  • 1.Physikalische Grundlagen

  • Stellung im Periodensystem

  • Kristallaufbau

  • Bändermodell

  • 2.Leitungsmechanismus in Halbleitern

  • Eigenleitung

  • Störstellenleitung

  •                        Dotieren mit 5-wertigen Fremdatomen

  •                        Dotieren mit 3-wertigen Fremdatomen

  •                        Leitungsmechanismus dotierter Halbleiter

  •                        Berechnung der Leitfähigkeit

  •                        Kennwerte von Halbleitermaterialien

  • 3.Sperrschichtfreie Halbleiter-Bauelemente

  • Heißleiter

  • Kaltleiter

  • Spreading-Resistance-Temperatursensor

  • Metalloxid-Varistor

  • Magnetfeldabhängige Halbleiter

  •                        Hall-Generatoren

  •                        Feldplatte




          4.Der PN-Übergang im spannungslosen Zustand

  • 5.Der PN-Übergang im Durchlasszustand

  • Herleitung der Strom-Spannungskennlinie der Diode

  • Differentieller Widerstand der Durchlasskennlinie

  • Temperaturabhängigkeit der Durchlassspannung

  • Die Diffusionskapazität

  • 6.Der PN-Übergang im Sperrzustand

  • Sperrkennlinie

  • Temperaturabhängigkeit des Sperrstroms

  • Sperrschichtbreite

  • Sperrschichtkapazität

  • Durchbruchsverhalten

          Lawinendurchbruch (avalanche breakdown)

          Feldemission (Zenereffekt)

          Thermische Mitkopplung

  • Erhöhung der Durchbruchsspannung

  •                        Unsymmetrisches Dotierungsprofil

  •                        PIN- und PSN-Übergang

  • 7.Grenzdaten

  • Elektrische Grenzwerte

  • Mechanische Grenzwerte

  • Thermische Grenzwerte

  • 8.Schaltverhalten von Dioden

  • Diode mit ohmscher Last

          Umschalten von Sperr- auf Durchlasspolung

          Umschalten von Durchlass- auf Sperrpolung

  • Diode mit induktiver Last

  • 9.Das Diodenmodell

  • Idealisiertes Diodenmodell

  • Diodenmodell mit Bahnwiderstand (RS) und Leckstromwiderstand (RL)

  • Diodenmodell mit Speicher- und Sperrschichtkapazität

  • SPICE-Parameter des Diodenmodells

  • Parameterextraktion

  • 10.Besondere Bauformen von Dioden

  • Z-Dioden

  •                        Spannungsstabilisierung ohne Last

  •                        Spannungsstabilisierung mit Last

  •                         Weitere Anwendungsbeispiele von Z-Dioden

  • Tunnel-Diode

  • Kapazitäts-Diode

  • Step-recovery-Diode

  • PIN-Diode

  • Impatt-Diode

  • Gunn-Diode (Gunn-Element)

  • Die Schottky-Barrier-Diode

  • 11.Gleichrichterschaltungen mit Dioden

  • Graphische Ermittlung des Signalverlaufs

  • Ersatzschaltungen von Gleichrichterdioden

  • Einweg-Gleichrichterschaltungen mit Glättungskondensator

  •                        Einweg-Gleichrichter im Leerlauf

  •                        Einweg-Gleichrichter mit Last

  • Zweiweg-Gleichrichter

  •                        Mittelpunktschaltung

  •                        Brückenschaltung

    Parallelgleichrichterschaltung

  • Spannungsvervielfacherschaltungen

Symmetrische Verdopplerschaltung

Unsymmetrische Verdopplerschaltung

                        Vervielfacherkaskade

12.Anwendung von Dioden als Schalter


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3. DER BIPOLARE TRANSISTOR

     1.Physikalische Grundlagen des Transistors

  • Struktur

  • Wirkungsweise

  • Der Kollektorstrom

  • In der Basis gespeicherte Ladung

  • Betriebsarten des Transistors

  • Basisstrom und Gleichstromverstärkung

  •                        Gleichstromverstärkung in Basisschaltung A

  •                        Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung B

     2.Die Transistorgleichungen und das Modell von Ebers und Moll

    Modellierung des bipolaren Transistors

  • Modell von Ebers und Moll

  • Grundgleichungen von Ebers und Moll

  • Das Pi-Modell

  • Vereinfachungen

  • Erweitertes Transistormodell

  • Modell von Gummel und Poon

     3.Kennlinien und Daten des bipolaren Transistors

Kennwerte / Kenndaten

  • Steuerkennlinie (Übertragungskennlinie)

  • Stromverstärkung

  • Ausgangskennlinien

  • Restströme

  • Restspannungen, Sättigungsspannungen

  •                        Kollektorrestspannung, Kollektorsättigungsspannung UCEsat

  •                        Basissättigungsspannung UBEsat

  • Durchbruchsverhalten

  •                        Durchbruch 1. Art

  •                        Durchbruch 2. Art

     4.Verstärkerschaltungen mit Transistor

    Aussteuerung des Transistors im Ausgangskennlinienfeld

  • Verstärker mit Arbeitspunktstabilisierung

  •                        Arbeitspunktstabilisierung mit Emitterwiderstand

  •                                        -Prinzip

-Bemessung des Emitterwiderstands

-Bemessung des Basisspannungsteilers

  •                        Die Arbeitswiderstände

                                                   -Der Gleichstrom-Arbeitswiderstand

-Der Wechselstrom-Arbeitswiderstand

  •                        Konstruktion im Ausgangskennlinienfeld.

  • Die drei Grundschaltungen des Transistors

     5.Kleinsignalersatzschaltungen des Transistors

  • Linearisierung im Arbeitspunkt - Beispiel einer Diode

  • Vierpolparameter

  •                        Ermittlung der Vierpolparameter im Arbeitspunkt

  •                        Dynamische Kenngrößen von Vierpolen

                           Kleinsignalersatzschaltung mit Transistor-Vierpol

  •                                             -Erste Vereinfachung

                                                       -Zweite Vereinfachung

Kleinsignalmodelle des bipolaren Transistors

                           Modelle ohne Berücksichtigung der Frequenzabhängigkeit

  •                        Stark vereinfachtes Modell

  •                        Modelle mit Berücksichtigung der Frequenzabhängigkeit

  •                        Parameter der Kleinsignalmodelle

  •                        Modellparameter und Kleinsignalkenngrößen

  •                        Stark vereinfachtes Kleinsignalmodell

  •                        Kleinsignal-Parameter eines Standard-Transistors

  • Grenzfrequenzen

    Berechnung der Grundschaltungen mit Kleinsignalmodellen

                                 Emitterschaltung

   Basisschaltung

   Kollektorschaltung

6.Die drei Grundschaltungen des Bipolartransistors im Vergleich


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4. FELDEFFEKTTRANSISTOREN

      1.Der MOS-Feldeffekttransistor

    Physikalische Grundlagen

  •                        Prinzip eines gesteuerten Widerstands

  •                        Struktur des N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistors

  •                        Inversion im Bändermodell

  • Aufbau des N-Kanal-MOSFETs

  •                        N-Kanal-MOSFET Anreicherungstyp

  •                        N-Kanal MOSFET Verarmungstyp

  • Aufbau des P-Kanal-MOSFETs

  •                        P-Kanal-MOSFET Anreicherungstyp

  •                        P-Kanal MOSFET Verarmungstyp

  • Kennliniengleichungen des MOSFETs ohne Substratsteuerung

  •                        Kennliniengleichungen für sehr kleine Spannung

  •                        Kennliniengleichung des MOSFETs im Linearbereich

  •                         Kennliniengleichung des MOSFETs im Abschnürbereich

  •                        Steuerkennlinie des MOSFETs im Abschnürbereich

  •                        Verhalten im Subthreshold-Bereich

  • Allgemeine Eigenschaften der MOSFET

  • Allgemeine Vorsichtsregeln im Umgang mit MOS-Bauelementen

  • Begriffsklärungen


2.Kennlinienverlauf der Feldeffekttransistoren im Vergleich

3.Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor

  • Struktur und Arbeitsweise des N-Kanal-Sperrschicht-FETs

  • Aufbau und Symbol des N-Kanal-Sperrschicht-FETs

  • Aufbau und Symbol des P-Kanal-Sperrschicht-FETs

  • Kennlinien des Sperrschicht-FETs

   Ausgangskennlinien des JFETs

  •                        Steuerkennlinie

  •                         Kennliniengleichungen für sehr kleine Spannung

  •                        Kennliniengleichung im Linearbereich

  •                        Kennliniengleichung im Abschnürbereich

4.Verstärkerschaltungen mit Feldeffekttransistor

  • Arbeitspunkteinstellung selbstsperrender Feldeffekttransistoren

  • Arbeitspunkteinstellung selbstleitender Feldeffekttransistoren

    Betriebsparameter des Feldeffekttransistors im Abschnürbereich

  •                        Eingangswiderstand des FETs

   Steilheit des FETs im Abschnürbereich

   Ausgangsleitwert des Feldeffekttransistors im Abschnürbereich

Modellierung des MOSFETs

  •                        Großsignalmodell des MOSFETs

  •                        Kleinsignalmodell des MOSFETs

  •                        Stark vereinfachte Kleinsignalmodelle des MOSFET

  • Modellierung des Sperrschicht-FETs

  •                        Großsignalmodell des Sperrschicht-FETs

  •                        Kleinsignalmodell des JFETs

  •                        Stark vereinfachte Kleinsignalmodelle des JFETs

  • 5.Nichtlineare Verzerrungen und Rauschverhalten

    Nichtlineare Verzerrungen des Feldeffekttransistors

    Rauschverhalten des Feldeffekttransistors

  •                        Rauschersatzschaltung eines Vierpols

  •                        Rauschzahl und Rauschmaß

  •                        Datenblattangaben zum Rauschen

  • 6.Leistungs-MOSFET

    Struktur des Leistungs-MOSFETs

    Ersatzschaltung des MOSFETs

    Kapazitäten des MOSFETs

    Bestimmung der Kapazitäten durch Aufnahme der Gate-Ladekurve

    Der MOSFET als Schalter

  • 7.Anhang

    Die drei Grundschaltungen des Sperrschicht-FETs im Vergleich


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5. SONDERBAUFORMEN VON TRANSISTOREN

  • 1.Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)


    Struktur und Ersatzschaltbild

    Ausgangskennlinienfeld

  • 2.Darlington-Transistor

    Darlington-Schaltung

    Darlington-Transistoren

    Komplementär-Darlington-Schaltung

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6. THYRISTOR-BAUELEMENTE

      1.Physikalische Grundlagen der Vierschicht-Bauelemente

    Struktur von Vierschicht-Bauelementen

    Ersatzschaltung von Vierschicht-Strukturen

    Gleichungen von Vierschicht-Strukturen

  • 2.Thyristor-Dioden

    Rückwärtssperrende Vierschicht-Diode

    DIAC - Diode for alternating Current

  • 3.Thyristor-Trioden

    Rückwärtssperrender Thyristor

    TRIAC - Bidirektionaler Thyristor

    GTO - Gate-Turn-Off-Thyristor

    ASCR Asymmetrisch sperrender Thyristor

    RCT - Rückwärtsleitender Thyristor

    Photo-Thyristor

  • PUT -- Programmierbarer Unijunction-Transistor

  • 4.Halbleiter-Tetroden

  • Thyristor-Tetrode


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7. OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTE

1.Physikalische Grundlagen

    Wellennatur der optischen Strahlung

  • Teilchennatur des Lichts

    Wechselwirkung zwischen Strahlung und Festkörpern

Strahlungsphysikalische und lichttechnische Größen

  • Empfindlichkeitskurve des menschlichen Auges

  • Lichttechnische Richtwerte von Strahlungsquellen

  • Temperaturstrahler

       2.Halbleiterstrahlungsquellen

  • Physikalische Grundlagen

  •                        Lumineszenzerscheinungen

  •                        Rekombinationsprozesse

  •                        Direkte und indirekteHalbleiter

                                 Eigenschaften von Halbleitermaterialien

  • Lumineszenzdioden

          Der PN-Übergang von Lumineszenzdioden

          Wirkungsgradbetrachtungen

          Halbleitermaterialien für Lumineszenzdioden

          Eigenschaften von Halbleitermaterialien

          Aufbau von Leuchtdioden

          Kennwerte von Lumineszenzdioden

  • Anzeigeeinheiten (Displays)

  • Laserdioden

          Physikalisches Prinzip der Laserdiode

          Aufbau der Laserdiode

          Eigenschaften der Laserdiode

          Daten von Laserdioden

          Begrenzung der Lebensdauer von Laserdioden

      3.Strahlungsdetektoren

  • Einteilung der Strahlungsdetektoren

  • Kennwerte und Eigenschaften von Detektoren

  • Nachweisvermögen von Detektoren

  • Photoleiter (Photowiderstand)

  •                        Physikalisches Prinzip

  •                        Kennlinie des Photoleiters

  •                        Kennwerte von Photoleitern

  • Photodioden

          Physikalisches Prinzip

          Photostrom und Kennlinie

          Dynamisches Verhalten der Photodiode

          Bauformen von Photodioden
     Kennwerte von Photodioden

  • Solarzelle

  • Photo-Bipolartransistor

  •                        Aufbau und Kennlinien

  •                        Dynamisches Verhalten

  •                        Photo-Darlingtontransistor

  • Photo-Feldeffekttransistor

  • Photo-Thyristor

      4.Optokoppler

  • Schaltungen von Optokopplern

  • Aufbau eines Optokopplers

  • Daten von Optokopplern


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Impressum: Fritz Prenninger, Haidestr. 11A, A-4600 Wels, Ob-Österreich
ENDE


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